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、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50
晶和公司的硅衬底氮化镓基led材料与器件技术诞生，改写了国际半导体照明的历史。我国国家863专家组评价道：“它打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国cree公司垄断碳化硅衬底半导
http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/4/24/315436.html2013/4/24 16:01:47
1907年henryjosephround第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现象。由于其发出的黄光太暗，不适合实际应用；更难处在于碳化硅与电致发光不能很好的适应，研究被摒弃了。二
http://blog.alighting.cn/mjlighting/archive/2010/5/3/42691.html2010/5/3 15:36:00
1、 1907 年henry joseph round 第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现象。由于其发出的黄光太暗，不适合实际应用；更难处在于碳化硅与电致发光不能很好的适应，研
http://blog.alighting.cn/reydul_sh/archive/2010/8/7/73943.html2010/8/7 19:20:00
一、led发展历史介绍 1907 年henry joseph round 第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现象。由于其发出的黄光太暗，不适合实际应用；更难处在于碳化硅与电致发
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/3/16/143097.html2011/3/16 21:23:00
