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科锐功率器件与射频(rf)首席技术官 john palmour 表示：“碳化硅双极型(bipolar)器件的发展长期以来受制于基面位错引起的正向电压衰减。该款低基面位错材料能够用
https://www.alighting.cn/news/20120919/113213.htm2012/9/19 15:00:25
led领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4h n型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片，从而继续引领碳化硅材料市场的发展。此项最新技术能够降
https://www.alighting.cn/news/2012911/n735043325.htm2012/9/11 10:30:55
不久前，中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司(以下简称天科合达)合作，解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术，成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。
https://www.alighting.cn/news/20150113/81743.htm2015/1/13 10:39:01
昭和电工宣布，将功率半导体器件用4英寸SiC外延晶圆(也叫磊晶)的产能提高到了原来的2.5倍。
https://www.alighting.cn/2012/9/10 13:34:55
美国cree表示，计划于2009～2010年开始供应直径150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是现有使用硅底板的功率半导体量产所用尺寸，很多元器件厂商均要求供应这种口
https://www.alighting.cn/news/20071020/119882.htm2007/10/20 0:00:00
与SiC和gan相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下
https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25
https://www.alighting.cn/news/20150113/97479.htm2015/1/13 9:28:51
科锐公司推出首款商用全碳化硅功率模组，再次彰显其碳化硅功率技术的优异性能与可靠性。新型高频率模组额定电流100a，额定阻断电压1200v，可实现更高效、更小尺寸及更轻重量的系
https://www.alighting.cn/pingce/20121119/123045.htm2012/11/19 10:44:36
深圳市泰而法光电参与2008第五届中国国际半导体照明(深圳)展览会邀请函。
https://www.alighting.cn/news/2008715/V16580.htm2008/7/15 12:01:13
为鼓励实施led示范工程，推广使用led灯具，成都市近日出台“十城万盏”半导体照明应用工程试点奖补办法，对示范工程建设资金予以10%补贴，包括示范区域的道路led照明样板工程、地
https://www.alighting.cn/news/20091009/104768.htm2009/10/9 0:00:00
