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衬底灯饰led芯片主要制造工艺解析

目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,sic同样存在硬度高且成本昂贵的

  https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:45:37

基氮化镓在大功率led的研发及产业化

日前,在广州举行的2013年led外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电衬底led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“衬底氮化镓大功率led的研发及产业化”的报告,

  https://www.alighting.cn/resource/20130627/125479.htm2013/6/27 10:44:37

2013ls:晶能-衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由晶能光电(江西)有限公司的孙钱/博士、外延研发副总裁主讲的关于介绍《衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资

  https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07

led外延片介绍及辨别质量方法

外延片的生产制作过程是非常复杂,展完外延片,接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品,其它为不良品(电压偏差很大,波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(

  https://www.alighting.cn/resource/20130613/125521.htm2013/6/13 15:08:42

功率型led封装材料的研究现状及发展方向

综述了近年来国内外功率型led封装材料的研究现状,通过对现有功率型led封装材料的应用情况展开讨论,明确指出有机封装材料不可替代的作用及其存在的广阔的应用前景和巨大的经济效

  https://www.alighting.cn/2013/6/4 15:24:03

转移基板材质对si衬底gan基led芯片性能的影响

在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大

  https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39

一种通用低成本大功率高亮度led封装技术

提出了一种热传导高、热膨胀匹配良好、低成本、大功率、高亮度led封装技术。该技术采用光电子与微电子技术相结合,利用背面出光的led芯片,倒装焊接在有双向浪涌和静电保护电路的

  https://www.alighting.cn/2013/5/23 11:36:13

大功率白光led倒装焊方法研究

介绍了一种大功率、高亮度led倒装散热封装技术。采用背面出光的蓝宝石led芯片,倒装焊接在有静电放电(esd)保护电路的基板上。该封装技术针对传统led出光效率低下和散热问题做

  https://www.alighting.cn/resource/20130514/125606.htm2013/5/14 13:15:35

基有源oled驱动电路的研究与设计

本文介绍了有源oled的像素驱动电路,分析了彩色灰度实现方法,提出了时间子场的数字灰度技术结合数字像素电路的驱动电路设计方案。

  https://www.alighting.cn/resource/20130514/125607.htm2013/5/14 11:32:35

衬底硫化锌薄膜发光器件的研制

用双舟热蒸发技术在衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差

  https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06

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