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in组分对ingangan蓝光led的发光性质的影响

目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高in组分没有出现位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大,在80k

  https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:02:28

in组分对ingan/gan蓝光led发光性质的影响

目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因,然而实验发现高in组分没有出现位蓝移,产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大,在80k

  https://www.alighting.cn/resource/20141011/124217.htm2014/10/11 10:37:14

eu3+荧光粉的制备和发光性能

结果表明,采用高温固相法在650~700℃能合成纯度较高、结晶度好的ca2li2biv3o12∶eu3+荧光粉,合成样品激发带覆盖200~400nm,发射光谱的线状发射可归属

  https://www.alighting.cn/2014/7/16 10:49:56

led用硅酸盐红色荧光粉的发展现状

展现状。硅酸盐基质红色荧光粉因其化学稳定性和热稳定性好、激发范围宽、发射强等优点在led用红色荧光粉中占有重要的地

  https://www.alighting.cn/2013/3/18 11:09:07

2012年 led背光照明细分市场投资策略报告

led背光照明仍是led增长的主要驱动力,2012年将是增长“年”。2012年led用于背光照明依旧是led产值的最大贡献应用领域,预计占led产值总比例将达到最大,约53.5

  https://www.alighting.cn/resource/20120712/126522.htm2012/7/12 11:58:18

100lm/w照明用led大功率芯片的产业化研究

围内,半宽接近20nm,led功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01ma下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350ma下发光效率达104 lm/w,并能够满足3w的应用市

  https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16

生长温度对ingan/gan多量子阱led光学特性的影响

性的影响。结果表明当生长温度从730℃升到800℃时,led的光致发光波长从490 nm移到380 nm,室温下pl谱发光的半高全宽从133 mev降到73 mev,表明了量子阱结晶

  https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08

白光led用硅酸盐荧光粉合成与发光性能的研究

目前着重在于荧光粉转换的led研究,也就是研发可被460 nm蓝光二极管有效激发的红、、绿等发光材料和被400 nm近紫外光二极管有效激发的红、绿、蓝、橙等发光材料。本文目

  https://www.alighting.cn/resource/2013/11/11/134413_07.htm2013/11/11 13:44:13

梁弄灯具,点亮万家灯火

位中年妇女埋着头坐在小矮凳上,熟练地把一只只成品灯塞进纸盒中。9月9日的下午,记者来到了余姚梁弄镇的一个普通家庭小厂,这位中年妇女就是这家余姚宏盛灯具厂的女主人??

  https://www.alighting.cn/resource/2007210/V9048.htm2007/2/10 15:46:04

led艺术创想:讲述一个城市的传奇(ppt)

授就“大热背后的理性呼唤——2009年led应用产品成果与趋势”进行了精彩的演讲。   附件为中山市格林曼光电科技有限公司代表云针

  https://www.alighting.cn/resource/2009427/V837.htm2009/4/27 14:50:07

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