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芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

手机相机的led闪光灯驱动电路

路和升压开关管,但是电感和用于续流的肖特二极管还是外接的,这增加了电路的复杂性、成本和pcb面积。此外,由于闪光灯驱功电路、led、显示屏、手机天线一般位于手机上端,与手机的射频电

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261462.html2012/1/8 21:39:02

led 组装静电防护最低要求

路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化,例如漏电流加大,一般 gan led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下,起放

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261432.html2012/1/8 21:28:50

led设计中的要点介绍(二)

定的产品技术上创意才是有效的。与开关恒流方式比较六、led组合化封装是未来发展趋势模组的组合设计能有效的降低一次性封装成本;分散的封装形式有利于减低散热设计成本;选择国产的铝pc

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261355.html2012/1/8 20:20:43

技术交流:led照明设计过程中关键问题全析

装成本;分散的封装形式有利于减低散热设计成本;选择国产的铝pcb板材;便于光学设计;电源设计简化;封装形式多样;有利增强国产led竞争力。 这是cree、nichia

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261353.html2012/1/8 20:20:40

led的蓝移

 例如-coor團,能產生紫外-可見吸收的官能團,如一個或幾個不飽和團,或不飽和雜原子團,c=c, c=o, n=n, n=o等稱為生色團(chromophore);   助色

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261344.html2012/1/8 20:19:53

led生产中的六种技术

m波长的led器件,制作纹理结构后,发光效率可达30lm/w,其值已接近透明衬底器件的水准。  四、倒装芯片技术  通过mocvd 技术在兰宝石衬底上生长ganled结构层,由p/

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40

盘点:2011年led芯片产业投资状况

d础材料的蓝宝石领域可谓一路高歌猛进。  目前,欧洲、美洲、日本、韩国,乃至国内不少厂家,已纷纷要求订购“四联造”蓝宝石片。预计到2015年,重庆将建成亚洲最大的蓝宝石地,形

  http://blog.alighting.cn/116344/archive/2011/12/29/260511.html2011/12/29 10:27:20

并不高深的led技术

是我们设计时必然首先考虑的,目前我们大多数会选择散热片散热方式,每瓦约30平方厘米的散热面积(铝作为散热),是一个理论上的参考数据,我们玩玩不能照搬照抄这个值,这个值有一定的环

  http://blog.alighting.cn/mqycc21/archive/2011/12/26/260232.html2011/12/26 1:09:04

led灯光艺术性的详细体现

向电压,少量载流子(少子)难以注入,故不发光。led软灯条   白光led的重要完成办法。当前,氮化镓led取得白光重要有:蓝光led+黄色荧光粉、三色led分解白光、紫光led

  http://blog.alighting.cn/yunaoled/archive/2011/12/22/259887.html2011/12/22 10:24:11

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