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、为保证耦合器座圈内侧（主汞齐周围）温度不超过85-120℃，要在耦合器底座处设计散热装置；6、灯具的材料、形状及位置，对灯泡的照明效果都有很大的影响，如果有太多的光反射到灯
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证耦合器座圈内侧（主汞齐周围）温度不超过85-120℃，要在耦合器底座处设计散热装置；6、灯具的材料、形状及位置，对灯泡的照明效果都有很大的影响，如果有太多的光反射到灯泡上，会提
http://blog.alighting.cn/yzsuwei/archive/2009/6/22/10895.html2009/6/22 11:48:00
5、为保证耦合器座圈内侧（主汞齐周围）温度不超过85-120℃，要在耦合器底座处设计散热装置；6、灯具的材料、形状及位置，对灯泡的照明效果都有很大的影响，如果有太多的光反射到灯
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、为保证耦合器座圈内侧（主汞齐周围）温度不超过85-120℃，要在耦合器底座处设计散热装置；6、灯具的材料、形状及位置，对灯泡的照明效果都有很大的影响，如果有太多的光反射到灯泡上，会提
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