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led器件标准化显现 下游企业寻求低成本方案

“经过近几年的封装技术革新,led封装器件分类正在发生变化,可以看出此前的3020、3014、5730、4014已经基本上被2835所覆盖。”近日,国星光电副总经理兼研发中心主任

  https://www.alighting.cn/news/20150916/132717.htm2015/9/16 9:58:53

激光处理的蓝宝石可增加hvpe GaN厚度

日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的GaN层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)

  https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21

GaN基大功率led芯片设计

由于led具有电光转换效率高、寿命长和节能环保等优点,以GaN基led为主的半导体照明近年来发展非常迅猛,各种应用层出不穷,当前在全球能源紧张和“节能减排”的大环境下,国家非常重

  https://www.alighting.cn/resource/20120302/126705.htm2012/3/2 10:09:16

GaN结构相变、电子结构和光学性质

运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法,对纤锌矿结构和氯化钠结构GaN的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究,分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.

  https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05

光鋐再订两台ccs mocvd生产GaN led

2007年5月24日,台湾光鋐科技(epileds)订下两台thomas swan(aixtron子公司)ccs crius 30x2英寸mocvd订单,用于量产高亮(hb)ga

  https://www.alighting.cn/news/20070525/119895.htm2007/5/25 0:00:00

松下开发出GaN衬底大功率白光led

2007年3月2日,松下(panasonic)宣布开发出使用GaN衬底的蓝光led芯片,其在350ma下的总辐射通量为355mw,外量子效率达38%。芯片样品的供应开始于三月

  https://www.alighting.cn/news/20070306/119681.htm2007/3/6 0:00:00

山西煤炭整合 积淀资金流向led产业

1月7日上午,山西长治市举行了10亿只陶瓷半导体发光封装项目的竣工投产和led外延芯片及300万片蓝宝石衬底项目的开工奠基仪式。

  https://www.alighting.cn/news/2010113/V22554.htm2010/1/13 10:29:12

nichia研发出微型投影机用绿色雷射二极

日本led大厂日亚化学工业(nichia corporation)于日前成功研发出以氮化鎵为基础的绿色雷射二极(green GaN-based laser diode),并将

  https://www.alighting.cn/news/20100714/92098.htm2010/7/14 12:58:55

rohm开发出sic肖特基势垒二极“scs3系列”

全球知名半导体制造商rohm开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源pfc电路1的、第3代sic肖特基势垒二极“scs3系列”。

  https://www.alighting.cn/news/20160510/140113.htm2016/5/10 14:39:35

led护栏知识

ed数码按控制方法分则分为:内控和外控;区别在于是否有单独的信号接头和电源接头;信号接头一般采用四芯的信号接头,设计原理大同小异;电源接头则采用两芯的。

  https://www.alighting.cn/resource/20120110/126761.htm2012/1/10 16:37:35

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