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激光剥离技术实现垂直结构GaN基led

为改善GaN 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将GaN 基led 从蓝宝

  https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48

刻蚀深度对si衬底GaN基蓝光led性能的影响

在si衬底上生长了oan基led外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前,对尺寸为

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

GaN基led材料特性研究及芯片结构设计

本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后,从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。

  https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48

通用照明趋势的高能效led驱动器设计方案

本文充分利用宽广阵容的模拟电源ic、分立器件及先进微封装,提出了一种基于配合通用照明趋势的高能效led驱动器方案。该方案提供了与众不同的高能效led驱动器设计方案,经验证该方

  https://www.alighting.cn/resource/2013/12/10/17614_07.htm2013/12/10 17:06:14

led照明电源系统设计

片开关电源,并对系统开关电源实用电路及主要单元电路进行了详细的分析,进行了参数值计算、器件的选取与电路设计;最后,给出pcb板电路图。实验证明:该开关稳压电源具有效率高、波纹小、输

  https://www.alighting.cn/resource/20131210/125024.htm2013/12/10 10:38:30

钱可元——2014年阿拉丁神灯奖提名委员个人简介

钱可元  清华大学深圳研究生院研究员  个人简介:  钱可元,清华大学 深圳研究生院 电子物理与激光器件专业,副研究员。  1983年毕业于清华大学无线电电子学系电子物理与激光专

  http://blog.alighting.cn/qiankeyuan/archive/2013/12/9/345796.html2013/12/9 17:34:49

李自力——2014年阿拉丁神灯奖提名委员个人简介

0—1982.7 成都电讯工程学院(现:电子科技大学)光电子技术系电真空器件专业  1982.8—1985.9 电子部第48研究所,从事大规模集成电路专用微细加工设备研制  198

  http://blog.alighting.cn/lizili/archive/2013/12/9/345789.html2013/12/9 17:06:38

led照明电路保护解决方案

住宅led灯泡的安全性和可靠性保护led灯泡是一种采用并联配置的半导体发光二极管的固态灯。此外,这种灯具还包括电源转换电子器件(直流/交流)、led的驱动芯片、用于热控的散热

  https://www.alighting.cn/resource/2013/12/9/15132_68.htm2013/12/9 15:01:32

配合通用照明趋势的高能效led驱动器设计方案

本文充分利用宽广阵容的模拟电源ic、分立器件及先进微封装,提出了一种基于配合通用照明趋势的高能效led驱动器方案。该方案提供了与众不同的高能效led驱动器设计方案,经验证该方

  https://www.alighting.cn/2013/12/9 14:31:02

大功率led散热技术研究进展

led(light emitting diode)是第四代照明光源,当大功率led散热不良时,将降低器件出光光效、寿命和可靠性,因此散热是大功率led产业发展的主要问题。本文介

  https://www.alighting.cn/2013/12/9 12:09:33

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