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led制造技术及应用简介

led是一种具有两个电极的半导体发光器件,让其流过小量电流就会发出可见光。

  https://www.alighting.cn/2013/12/17 10:43:35

硅衬底GaN基led研究进展

由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,GaN/si基器件成为一个研究热点。然而, GaN与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限

  https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47

林瑞梅(光莆电子)申报2014阿拉丁神灯奖十大人物

子分会的资深专家、福建省光电协会副会长,厦门市光电协会副会长。1987年毕业于南京工学院半导体物理与器件专业,先后就职于厦门半导体一厂、华联电子,1994-2006年任厦门市光莆电

  http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/12/13/346131.html2013/12/13 14:35:16

个人简介及主要工作成果(参与2014神灯奖人物申报)

“海西创业英才”、中国光电协会光电子分会的资深专家、福建省光电协会副会长,厦门市光电协会副会长。1987年毕业于南京工学院半导体物理与器件专业,先后就职于厦门半导体一厂、华联电

  http://blog.alighting.cn/169559/archive/2013/12/13/346128.html2013/12/13 14:21:14

激光剥离技术实现垂直结构GaN基led

为改善GaN 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将GaN 基led 从蓝宝

  https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48

刻蚀深度对si衬底GaN基蓝光led性能的影响

在si衬底上生长了oan基led外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前,对尺寸为

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

GaN基led材料特性研究及芯片结构设计

本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后,从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。

  https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48

通用照明趋势的高能效led驱动器设计方案

本文充分利用宽广阵容的模拟电源ic、分立器件及先进微封装,提出了一种基于配合通用照明趋势的高能效led驱动器方案。该方案提供了与众不同的高能效led驱动器设计方案,经验证该方

  https://www.alighting.cn/resource/2013/12/10/17614_07.htm2013/12/10 17:06:14

led照明电源系统设计

片开关电源,并对系统开关电源实用电路及主要单元电路进行了详细的分析,进行了参数值计算、器件的选取与电路设计;最后,给出pcb板电路图。实验证明:该开关稳压电源具有效率高、波纹小、输

  https://www.alighting.cn/resource/20131210/125024.htm2013/12/10 10:38:30

钱可元——2014年阿拉丁神灯奖提名委员个人简介

钱可元  清华大学深圳研究生院研究员  个人简介:  钱可元,清华大学 深圳研究生院 电子物理与激光器件专业,副研究员。  1983年毕业于清华大学无线电电子学系电子物理与激光专

  http://blog.alighting.cn/qiankeyuan/archive/2013/12/9/345796.html2013/12/9 17:34:49

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