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从2007 年的15.4%增至2014 年的21%。本文节选自姜军鹏先生《中国半导体照明品牌路线发展研
https://www.alighting.cn/2011/10/9 9:48:29
验,对inxga1-xn制备过程中的in组份掺入效率的温度依赖关系进行研究.通过对制备样品的pl谱测量分析,得到了587℃~600℃的in组份最佳掺入温度区间
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127050.htm2011/9/30 10:32:39
日亚化从2006年开始对亿光展开一连串控告行动后，亿光研发与专利团队就一直研究日亚化相关专利的有效性，陆续发现其主张的专利无效证据，台湾专利民事诉讼与行政诉讼分别在2010年7月
https://www.alighting.cn/news/2011915/n976934485.htm2011/9/15 10:20:12
简单介绍了目前国内大功率led芯片的现状,对部分产品进行了详细的封装研究,结果显示,国产芯片在光效方面提升迅速,最高已达110 lm/w,主流水平位于90～100 lm/w之
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127157.htm2011/9/13 14:15:45
路的工作原理,结合阈值漂移模型仿真了电路在长时间工作下阈值漂移对驱动电流稳定性的影响,并提出了相应的解决办法。研究结果表明合理的像素电路设计可以有效改善驱动电流的稳定
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127159.htm2011/9/13 14:02:15
日本东京大学尖端科学技术研究中心教授濑川浩司的研发小组及其合作厂商，用色素增感型太阳能电池(dssc：dye-sensitized solar cell)、led及镍氢充电电
https://www.alighting.cn/resource/20110910/127165.htm2011/9/10 17:04:45
采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化铟锡(ito)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经x射线衍射(xrd)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ito薄膜呈
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23
gan/alxga1-xn超晶格插入层技术是释放应力和减少alxga1-xn薄膜中缺陷的有效方法。研究了gan/alxga1-xn超晶格插入层对gan/蓝宝石上alxga1-x
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127236.htm2011/8/29 17:13:56
针对紫外固化技术领域中新型大功率365nmuv-led光源进行了拓展性应用研究.提出了空间阵列排布实现能量累加的技术方案,给出了其优化设计原理与软件实例仿真结果.结果证明:该二
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127312.htm2011/8/15 17:13:03
