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led寿命试验法

样,随机抽取其中一片外延片中的8~10粒芯片封装成ф5单灯器件,进行为96小时寿命试验,其结果代表本生产批的所有外延片。一般认为,试验周期为1000小时或以上的称为长期寿命试

  http://blog.alighting.cn/moonvia/archive/2011/4/19/166241.html2011/4/19 22:31:00

led寿命试验法

样,随机抽取其中一片外延片中的8~10粒芯片封装成ф5单灯器件,进行为96小时寿命试验,其结果代表本生产批的所有外延片。一般认为,试验周期为1000小时或以上的称为长期寿命试

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261360.html2012/1/8 20:21:41

led寿命试验法

样,随机抽取其中一片外延片中的8~10粒芯片封装成ф5单灯器件,进行为96小时寿命试验,其结果代表本生产批的所有外延片。一般认为,试验周期为1000小时或以上的称为长期寿命试

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261361.html2012/1/8 20:21:43

技术交流:led照明设计过程中关键问题全析

要设计产品,首先要确定用谁的led封装结构;接下来考虑怎样适应这些封装形式;由我们选择的机会不多,光学结构是建立在这些封装之上的;我们很多创意不能很好的发挥。下面介绍led照明设

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143414.html2011/3/17 21:43:00

led照明设计过程中关键问题全析

要设计产品,首先要确定用谁的led封装结构;接下来考虑怎样适应这些封装形式;由我们选择的机会不多,光学结构是建立在这些封装之上的;我们很多创意不能很好的发挥。下面介绍led照明设

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222103.html2011/6/19 23:24:00

技术交流:led照明设计过程中关键问题全析

要设计产品,首先要确定用谁的led封装结构;接下来考虑怎样适应这些封装形式;由我们选择的机会不多,光学结构是建立在这些封装之上的;我们很多创意不能很好的发挥。下面介绍led照明设

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261353.html2012/1/8 20:20:40

研发led壁垒的探讨

粉老化,严重影响器件的光学性能。  其次,led散热问题是很大程度上取决于器件的封装结构和封装材料。针对传统led采用的正装结构,为了改进它的散热而产生的芯片倒装技术,同时受硅片材

  http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268488.html2012/3/16 13:47:07

led的热学指标

式:vt j=vt o +k(tj-to) (1) 式中,vt j、vt o分别是tj和to时的输入电压;k是热敏温度系数,它与芯片衬底材料、芯片结构、封装结构、发光波长等都有关系。

  http://blog.alighting.cn/zhangangx/archive/2010/7/1/53618.html2010/7/1 8:38:00

直下式、侧入式led背光模组结构分析(下)2

域控制。   (2)比较薄。   (3)led封装的出光效率(extraction efficiency)提高。   (4)全部利用led芯片发出的光,每个led封装产生较

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127025.html2011/1/12 16:36:00

为混乱的led照明市场正本清源

担的高亮度氮化镓led芯片及半导体照明光源项目,被认证为国家级火炬计划项目。福地电子此次涉足照明行业,主要就是希望为led市场树立一个典范。目前的功率或照明器件封装企业,由于无法获

  http://blog.alighting.cn/led9898/archive/2011/1/20/128215.html2011/1/20 16:46:00

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