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日本东京大学尖端科学技术研究中心教授濑川浩司的研发小组及其合作厂商，用色素增感型太阳能电池(dssc：dye-sensitized solar cell)、led及镍氢充电电
https://www.alighting.cn/resource/20110910/127165.htm2011/9/10 17:04:45
采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化铟锡(ito)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经x射线衍射(xrd)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ito薄膜呈
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23
gan/alxga1-xn超晶格插入层技术是释放应力和减少alxga1-xn薄膜中缺陷的有效方法。研究了gan/alxga1-xn超晶格插入层对gan/蓝宝石上alxga1-x
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127210.htm2011/9/2 17:06:01
简单介绍了目前国内大功率led芯片的现状,对部分产品进行了详细的封装研究,结果显示,国产芯片在光效方面提升迅速,最高已达110 lm/w,主流水平位于90～100 lm/w之
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127236.htm2011/8/29 17:13:56
针对紫外固化技术领域中新型大功率365nmuv-led光源进行了拓展性应用研究.提出了空间阵列排布实现能量累加的技术方案,给出了其优化设计原理与软件实例仿真结果.结果证明:该二
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127312.htm2011/8/15 17:13:03
3月8日，北京朗波尔光电股份有限公司作为国内唯一led照明企业参加了“十一五”国家重大科技成果展。北京朗波尔光电股份有限公司是一家专注于led照明技术研究、产品开发、生产制造及推
https://www.alighting.cn/news/2011317/n030830749.htm2011/3/17 18:18:17
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
led具备传统光源不可比拟的优点,并且节能环保。随着led在背光源和照明领域的应用越来越广泛,如何提升led本身的显色特性,使其更加接近于自然光源,成为人们争相研究和开发的重要项
https://www.alighting.cn/resource/20110527/127537.htm2011/5/27 20:15:00
明的普及活动,主要关注日本led照明推广委员会的活动。最后一部分探讨led照明今后的研究课题和发展方
https://www.alighting.cn/resource/20110520/127574.htm2011/5/20 19:55:29
利用低压mocvd系统,在蓝宝石衬底上外延生长了ingan/gan多量子阱蓝紫光led结构材料。研究了生长温度对有源层ingan/gan多量子阱的合金组分、结晶品质及其发光特
https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08
