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led设备及mocvd国产化成十二五规划新亮点

近年来,我国半导体照明市场发展迅速,资金纷纷涌入。据业内人士透露,尽管目前我国白光发光二极管产业发展比较快,但关键设备及材料的严重依赖进口,比如金属有机化学气相沉积、等离子刻蚀机

  https://www.alighting.cn/news/20110718/90279.htm2011/7/18 9:55:28

大功率led在矿灯行业的应用概况

到安全矿灯的发明。英国化学家戴维(h?;davy,1778~1829)应霍奇森(hodgson)牧师的要求在1815年发明了安全矿灯,解决了因火焰引起的瓦斯爆炸问题,对19世纪欧

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229967.html2011/7/17 23:40:00

led封装对光通量的强化原理

面的gaas使p-n接面散发出的光有一半被遮挡吸收,造成光能的浪费,因此改用透明的gap材料来做基板。又如日本日亚化学工业(nichia)在gan的led中,将p型电极(p type)部

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00

触控面板(touch panel)技术

、光学胶、化学强化玻璃(由上而下)。化学强化玻璃已经比一般玻璃的耐承受压力强3.4倍了,当化学强化玻璃还是不幸打破的时候,光学胶可以整层包覆化学强化玻璃的碎片,避免碎片割伤使用者,就

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229955.html2011/7/17 23:34:00

led外延生长工艺概述

了纯度高,平整性好外,量产能力及磊晶成长速度亦较mbe为快,所以现在大都以mocvd来生产。其过程首先是将gaas衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉(简mocvd,又称外延炉),再通

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00

外延生长技术概述

身研究时间不长,对材料生长的一些物理化学过程还有待认识,因此目前对适合氮化镓基材料的mocvd设备还在完善和发展之中。国际上这些设备商也只是1994年以后才开始生产适合氮化

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

led芯片的制造工艺简介

化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。2、晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00

金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术英文名称;metal-organic chemical vapor deposition(mocvd)检索词:汽相外延;薄层外延;晶体生长技

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00

氮化镓衬底及其生产技术

次生长。今后研发的重点仍是寻找合适的生长方法,大幅度降低其成本。2) al2o3衬底目前用于氮化镓生长的最普遍的衬底是al2o3,其优点是化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00

gan外延片的主要生长方法

别在于反应室。这些公司生产mocvd设备都有较长的历史,但对氮化镓基材料而言,由于材料本身研究时间不长,对材料生长的一些物理化学过程还有待认识,因此目前对适合氮化镓基材料的mocv

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

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