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发光二极管封装结构及技术

标是达到年产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133827.html2011/2/19 23:18:00

led的多种形式封装结构及技术

到年产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133866.html2011/2/19 23:34:00

led封装结构及其技术

标是达到年产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00

led发光字的光源选择

m2之间的超薄发光标牌,可像素管发光模组;厚度在10mm以上的大型超薄发光指示牌,应选用发光角在30度以内的超高亮发光模组。 总之,广大广告界同仁在利用led应用技术制作产品

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134107.html2011/2/20 22:48:00

gan外延片的主要生长方法

备一般不出售。1)ingaalp四元系ingaalp化合物半导体是制造红色和黄色超高亮度发光二极管的最佳材料,ingaalp外延片制造的led发光波段处在550~650nm之间,这

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

发光二极管封装结构及技术

产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和 芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00

外延生长技术概述

能一次生产1片2英寸外延片,但其外延片质量很高。目前高档产品主要由这些设备生产,不过这些设备一般不出售。1)ingaalp四元系ingaalp化合物半导体是制造红色和黄色超高亮度发

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

led发光字的光源选择

光标牌,可像素管发光模组;厚度在10mm以上的大型超薄发光指示牌,应选用发光角在30度以内的超高亮发光模组。 总之,广大广告界同仁在利用led应用技术制作产品时,除了要考虑led的稳

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230346.html2011/7/20 0:19:00

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。  随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

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