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触控面板(touch panel)技术

、光学胶、化学强化玻璃(由上而下)。化学强化玻璃已经比一般玻璃的耐承受压力强3.4倍了,当化学强化玻璃还是不幸打破的时候,光学胶可以整层包覆化学强化玻璃的碎片,避免碎片割伤使用者,就

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led外延生长工艺概述

了纯度高,平整性好外,量产能力及磊晶成长速度亦较mbe为快,所以现在大都以mocvd来生产。其过程首先是将gaas衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉(简mocvd,又称外延炉),再通

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外延生长技术概述

身研究时间不长,对材料生长的一些物理化学过程还有待认识,因此目前对适合氮化镓基材料的mocvd设备还在完善和发展之中。国际上这些设备商也只是1994年以后才开始生产适合氮化

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led芯片的制造工艺简介

化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。2、晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,

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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术英文名称;metal-organic chemical vapor deposition(mocvd)检索词:汽相外延;薄层外延;晶体生长技

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氮化镓衬底及其生产技术

次生长。今后研发的重点仍是寻找合适的生长方法,大幅度降低其成本。2) al2o3衬底目前用于氮化镓生长的最普遍的衬底是al2o3,其优点是化学稳定性好、不吸收可见光、价格适中、制造技

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gan外延片的主要生长方法

别在于反应室。这些公司生产mocvd设备都有较长的历史,但对氮化镓基材料而言,由于材料本身研究时间不长,对材料生长的一些物理化学过程还有待认识,因此目前对适合氮化镓基材料的mocv

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led外延片(衬底材料)介绍

长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。外延片的生产制作过程是非常复杂,展完外延片,接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试,符合要求的就是良品,其它为不良品(电压偏差很大,波长偏短或

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led与太阳能结合的照明技术

伏数组首先会将接收来的太阳辐射能量直接转换成电能供给负载,并将多余能量经过充电控制器后以化学能的形式储存在蓄电池中。2.led照明的优点:led半导体照明光源除具有使用寿命长、发

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led外延的衬底材料有哪些

个方面:• [1]结构特性好,外延材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度孝结晶性能好、缺陷密度小;• [2]界面特性好,有利于外延材料成核且黏附性强;• [3]化学稳定性

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