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对于一般照明而言，人们更需要白色的光源。 1998 年发白光的 led 开发成功。这种 led 是将 GaN 芯片和钇铝石榴石（ yag ）封装在一起做成。 GaN 芯片发蓝
http://blog.alighting.cn/ggzhaoye/archive/2010/7/8/54597.html2010/7/8 14:34:00
田村制作所及其子公司光波公司近日展出了其开发的使用氧化镓(β-ga2o3)的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同
https://www.alighting.cn/pingce/20130122/121938.htm2013/1/22 9:15:25
近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，led已经开始在照明领域里初步应用，出现了le
https://www.alighting.cn/resource/2008429/V15378.htm2008/4/29 13:25:44
led外延作为led产业链的核心环节，从2009年开始，在中国下游应用市场高速发展的带动下，中国GaN mocvd数量开始爆发性增长，使得中国led外延产业得到快速发展。2010
https://www.alighting.cn/news/20111121/n384835887.htm2011/11/21 11:31:27
摘要：结合功率型GaN基蓝光led芯片的电极分布，在硅载体上电镀制作了金凸点，然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明，在合适的热超声参数范围内，焊接
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/7/111412_00.htm2012/6/7 11:14:12
出。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光
https://www.alighting.cn/news/2013122/n276448351.htm2013/1/22 14:18:06
术(metalbonding)，将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能
https://www.alighting.cn/resource/20140716/124444.htm2014/7/16 9:52:01
结合功率型GaN 基蓝光led 芯片的电极分布, 在硅载体上电镀制作了金凸点, 然后通过热超声倒装焊接技术将led 芯片焊接到载体硅片上。结果表明, 在合适的热超声参数范围
https://www.alighting.cn/2012/5/17 14:01:47
本研究基于蓝宝石图形衬底(pss)制备GaN基40mil功率型led芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了led器件的光电性能。制备的led外延片波长集中在6nm范
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16
镓 GaN)会因基材(如刚玉 al2o3)晶格的不整合产生极多的缺陷(如 109/cm2)，这些缺陷限制了内部量子效应(internal quantum efficiency)的发
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
