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于光电子和微电子器件领域。si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介绍了si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
1 引言自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结GaN蓝光led，GaN基led得到了迅速的发展。GaN基led以其寿命长、耐冲击、抗震、高
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亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的中批量生产。据预
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230339.html2011/7/20 0:16:00
t。白色led驱动电路由白色led驱动器和外围电路(包含晶体管、二极管、电感器、电容器和电阻器等)组成。驱动白色led需要一个恒流源，电流一般为15ma～20ma。led的亮度依赖于
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230340.html2011/7/20 0:16:00
白色发光二极管 利用GaN(氮化镓)系半导体的白色发光二极管，做为新世代固态照明灯源是历经无数的转折，十年前包含产官学研界几乎未曾将半导体白色发光二极管纳入考量，虽然有很多研究人
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230338.html2011/7/20 0:15:00
以我们可以用可编程的占空比来通断电流，从而实现对发光度的控制。这样就需要一个开关，如图2b所示。2、采用线性电流源加上一个晶体管和/或一个运算放大器，可以把电流非常精确地设置为35
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现代光学耦合器的核心是输入端的led和输出端的光电探测器. 它们被绝缘的光传导介质隔开。光电探测器可以是光电晶体管，可以是带有晶体管的光电二极管，也可以是集成式检测器/逻辑集成电
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d。rsh称为旁路电阻．主要由下列几种因素引起：如表面沾污而产生的沿着电池边缘的表面漏电流；沿着位错微观裂缝、晶粒间界和晶体缺陷等形成的细小桥路而产生的漏电流。rs称为串联电阻，系
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s型led，hfbr－24xz内部集成了包括pin光电检测器、直流放大器及集电极开路输出schottky型晶体管的一个ic芯片，其输出可直接与流行的ttl及cmos集成电路相连。
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要进行调光控制，因而要求驱动器ic提供一种用于调节输出电流/led亮度的简单方法。利用合适的驱动器ic，即可通过一个pwm信号、dc电压或外部nmos晶体管来完成调光操作，调光范围
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