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led主要参数与特性

led是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性:i-v特性、c-v特性和光学特性:光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。本文将为你详

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229836.html2011/7/17 22:29:00

led知识大全

﹑sr等  c、超高亮度:ug﹑uy﹑ur﹑uys﹑urf﹑ue等  d、不可见光(红外线):r﹑sir﹑vir﹑hir  e、红外线接收管:pt  f、光电管:pd  2、按组

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233079.html2011/8/19 23:54:00

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

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  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258521.html2011/12/19 10:58:03

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  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261544.html2012/1/8 21:49:07

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

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  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262718.html2012/1/29 0:39:42

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

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