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光led。其技术是先在znse单晶基底上生长一层cdznse薄膜,通电后该薄膜发出的蓝 光与基板znse作用发出互补的黄光,从而形成白光光源。美国boston大学光子研究中心用同
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
多技术和观念上的突破，si衬底gan基材料生长越来越成为人们关注的焦点。我国南昌大学就首先突破了硅基ganled外延片和新基板焊接剥离技术，利用lp-mocvd系统在si(111)
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
端最大电压有不同的要求。在测试前需要确认无绝缘的带电部件必须固定在基板或配件表面，不能因产生回旋或位移而导致可接受的最小间距较少，同时会引致电击危险的带电部件必须被围起或置于减少
http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/8/15/232394.html2011/8/15 21:24:00
公场所led灯改造铝挤是有几种截面形状的，会根据所采用的基板而不同，有的是中间有横截面(图一)，有的挤型中间是中空(图二)，有的采用上下两层(图三)。后面的散热形式也是采取各异的方
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/10/4/242983.html2011/10/4 21:55:24
指在led负载端和220v输入端有直接连接，因此触摸负载就有触电的危险。220v和铝壳之间只有铝基板的极薄绝缘层的隔离，通常不容易通过ce和ul认证。 图2. 隔离式led日光灯电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258615.html2011/12/19 11:09:20
镀al质金属膜,然后在一定的温度与压力下熔接在一起。如此,从发光层照射到基板的光线被al质金属膜层反射至芯片表面,从而使器件的发光效率提高2.5倍以上。 三、表面微结构技术 表
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261457.html2012/1/8 21:36:20
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262628.html2012/1/29 0:34:23
路做在散热器上将直接与散热器连接，这样就减少了铝基板与散热器之间的热阻，但前提是必须解决工艺、结构、低温焊接等问题。 2）采用高导热材料 实际应用当中导热材料的选择除了考虑到导
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268564.html2012/3/16 17:38:40
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268566.html2012/3/16 17:39:17
