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白光oLED照明的发展现状及趋势

摘要:oLED照明是新一代节能、环保、健康、高品质照明产品。与诸多传统照明不同, oLED照明是面光源, 光质接近自然光, 而且本身就是灯具, 适合于室内照明。

  https://www.alighting.cn/resource/2013/3/20/154442_75.htm2013/3/20 15:44:42

有效光效系数在室外照明设计中的应用

文章通过对 4种光源在暗视觉到明视觉的亮度范围内的有效计算 ,提出了用有效光效系数lec来修正室外照明设计应用中光源的光效。

  https://www.alighting.cn/resource/20110423/127704.htm2011/4/23 17:20:17

舆论施压 亿光决议取消无薪假

日前,亿光以“保障劳工权益,并配合政府政策”为由,决议停止协商减少工时相关作业。对于此前宣布实施无薪假对社会造成的不安,亿光表示歉意。

  https://www.alighting.cn/news/20111031/n162435312.htm2011/10/31 9:14:19

水立方对灯具配光曲线有特殊要求

灯具投射距离要满足各种规格气枕的要求,对灯具配光曲线要求x轴宽些,y轴窄些,z轴长些,对配光曲线的要求。

  https://www.alighting.cn/news/2008318/V14505.htm2008/3/18 14:43:49

LED芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

LED芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

LED芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

LED芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

LED芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

LED芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

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