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项目针对芯片封装热阻过高、工作寿命短、出光效率低，模组互换性差等问题主要进行以下方面研究： 1、研究内容： (1)陶瓷基共晶焊薄膜荧光粉大功率lED封装技术。由于封
https://www.alighting.cn/resource/2010819/V1139.htm2010/8/19 11:47:33
全球知名企业lg旗下子公司lg innotek日前宣布，为满足快速发展的lED照明市场，推出多款中、大功率lED芯片，以提供更多元化的照明应用。该系列产品性能优越，相比同类产品具
https://www.alighting.cn/pingce/20100819/123003.htm2010/8/19 10:56:20
受到三星下调lED tv出货台数,以及上游原材料涨价影响,8月以来,台湾地区lED族群股价跌幅平均达一成.
https://www.alighting.cn/news/2010819/V24825.htm2010/8/19 10:03:46
韩国供应led蓝宝石晶棒主要厂商现仅2家，包括stc与astek，其中，stc自2000年起供应蓝宝石晶棒;astek则自2009年底起才供应，故于韩国蓝宝石晶棒市场地位尚不及st
https://www.alighting.cn/news/20100819/118023.htm2010/8/19 9:29:02
无论进口的胶，还是进口的pc料，都不能从根本上解决led的散热和光衰问题。到目前为止，可以说中国的企业用这种外国人设计好的光源模式做led灯具的，没有一家真正解决好大功率led灯具
https://www.alighting.cn/news/20100819/92491.htm2010/8/19 0:00:00
今天来探讨lED外延片的成长工艺，早期在小积体电路时代，每一个6吋的外延片上制作数以千计的芯片，现在次微米线宽的大型vlsi，每一个8吋的外延片上也只能完成一两百个大型芯片。外延
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2010/8/18/91272.html2010/8/18 20:29:00
性和一致性。 3. 反向漏电流测试：反向漏电流在载入一定的电压下要低于要求的值，生产过程中由于静电、芯片品质等因素引起lED反向漏电流过高，这会给lED应用产品埋下极大的隐患，在使
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2010/8/18/91270.html2010/8/18 20:28:00
7月29日，一场有关照明用lED国家标准宣贯会、产品ccc认证和节能认证暨技术研讨会在东莞举行，这次标准宣贯会和研讨会的背后，是目前lED产业大步前行时不能忽略的困境。
https://www.alighting.cn/news/2010818/V24806.htm2010/8/18 10:40:56
台湾lED 外延、芯片第二季产值再度刷新上季产值，成长高达35%,亦创下历史新高水平。
https://www.alighting.cn/news/2010818/V24804.htm2010/8/18 10:28:06
在这个高度测试，lED灯刚点亮时测出照度，30分钟或60分钟后再测照度，照度不变或变化小的灯较好，变化大的说明灯的散热不好，热阻大，芯片温度升高，发光效率下降导致照度变小，这种灯不
http://blog.alighting.cn/luhfhy/archive/2010/8/18/90499.html2010/8/18 10:10:00
