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台湾地区制定发光二极灯泡节能标章能源效率准与标示方法

2013年12月26日,台湾地区“经济部”能源局发布号令,订定发布“发光二极灯泡节能标章能源效率准与标示方法”全文2点,自即日生效。

  https://www.alighting.cn/news/201413/n110659380.htm2014/1/3 11:05:49

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极(leds)和激光二极(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极(leds)和激光二极(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极(leds)和激光二极(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极(leds)和激光二极(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极(leds)和激光二极(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极(leds)和激光二极(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

领冠半导体上市三款ul认证可控调光新品

近期,东莞市领冠半导体照明有限公司全新推出了几款ul系列可控调光电源产品,包括应用于led筒灯的lkad012d、lkad025d,用于led面板灯的lkad045d。三款产品

  https://www.alighting.cn/pingce/20140923/121466.htm2014/9/23 18:17:10

陶氏电子材料推出可稀释胶粒二氧化研磨液

陶氏化学公司旗下的陶氏电子材料事业群日前宣布推出量产化的klebosol? ii 1730,这是一种应用于化学机械研磨(cmp)工艺的胶粒二氧化研磨液。新的颗粒技术将缺陷率减

  https://www.alighting.cn/pingce/20120327/122554.htm2012/3/27 10:40:26

晶能光电宣布衬底大功率led通过10000小时lm80测试

5月21日,晶能光电宣布其衬底大功率led芯片系列已经通过了10,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试,公司现可根据需要提供lm80 10,000小时测试数据。

  https://www.alighting.cn/news/2014522/n787062438.htm2014/5/22 12:02:41

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