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年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，led制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展，其发光效率提高了近100

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258649.html2011/12/19 11:10:56

年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，led制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展，其发光效率提高了近100

http://blog.alighting.cn/119379/archive/2011/12/20/258864.html2011/12/20 15:57:41

年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，led制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展，其发光效率提高了近100

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261424.html2012/1/8 21:28:11

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，led制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展，其发光效率提高了近100

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262595.html2012/1/29 0:32:32

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，led制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展，其发光效率提高了近100

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271697.html2012/4/10 23:22:48

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16