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料是砷(as)化鎵(ga) ，其正向Pn结压降(vf，可以理解为点亮或工作电压)为1.424v，发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(P)化鎵(ga)，其正向Pn结压降
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120886.html2010/12/14 21:52:00
用的材料是砷(as)化镓(ga) ，其正向Pn结压降(vf，可以理解为点亮或工作电压)为1.424v，发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(P)化镓(ga)，其正向Pn
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127092.html2011/1/12 17:24:00
系，两色光相混后即可得到白光。 美国lumileds公司在2001年研制出了a1gainn功率型倒装片结构led(fcled)，具体做法是：第一步，在P型外延层上沉积厚度大于5
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00
n结??光区发出的光透过上面的P型区射出。由于P型gan传导性能不佳,为获得良好的电流扩展,需要通过蒸镀技术在P区表面形成一层ni-au组成的金属电极层。P区引线通过该层金属薄膜引
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
2h、cdPd1h/cdPd2h、d1s/d1h、d1t/d2t、d1x/d2x、dPd1t/dPd2t、e1s/e1h、ePd1s/ePd1h、msPs/msPh、P1h、P1x
http://blog.alighting.cn/longyubing/archive/2011/4/1/146041.html2011/4/1 13:31:00
http://blog.alighting.cn/nonuea12/archive/2011/4/19/166205.html2011/4/19 21:26:00
造流程是：首先在外延片顶部的P型gan上淀积厚度大于500a的niau层，用于欧姆接触和背反射；再采用掩模选择刻蚀掉P型层和多量子阱有源层，露出n型层；经淀积、刻蚀形成n型欧姆接触
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
题，这是目前主流的大功率led的生产方式。 美国lumileds公司于2001年研制出了algainn功率型倒装芯片（fcled）结构，其制造流程是：首先在外延片顶部的P型ga
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00
用的材料是砷(as)化??(ga) ,其正向Pn结压降(vf,可以理解为点亮或工作电压)为1.424v,发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(P)化??(ga),其正向Pn
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229921.html2011/7/17 23:17:00
面的gaas使P-n接面散发出的光有一半被遮挡吸收,造成光能的浪费,因此改用透明的gaP材料来做基板。又如日本日亚化学工业(nichia)在gan的led中,将P型电极(P tyPe)部
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
