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plessey研发新工艺,提高micro led显示屏光输出

日前,英国plessey semiconductors表示,它已开发出专有的二维(2d)平面硅氮化镓(GaN-on-si)工艺,无需色彩转换技术即可发出绿光。

  https://www.alighting.cn/news/20190403/161477.htm2019/4/3 9:44:10

led芯片的制造工艺流程

外延生长的本原理是:在一块加热至适当温度的衬底片(主要有蓝宝石和、sic、si)上,气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9232.html2008/10/30 20:16:00

如何描述led的本特性?

安的正向电流,红黄光类led的vf值约为2伏,而GaN兰绿光类led 器件的vf值通常大于3伏。 反向漏电流ir是指给定的反向电压下流过器件的反向电流值, 这个值的大小十

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120381.html2010/12/13 14:28:00

[转载]广州亮化设计——led照明的发展不仅需要技术研发还需理念变革

0世纪60年代初,首只镓砷磷(gaasp)红光led诞生,人类开始致力于半导体照明光源技术的实现。   1994年,日本nichia(日亚)化学公司成功开发出GaN蓝光le

  http://blog.alighting.cn/quanlubiaoshi/archive/2011/7/8/229311.html2011/7/8 10:55:00

led路灯发展意义

保的 路灯对城市照明节能具有十分重要的意义。led路灯与常规高压钠灯路灯不同的是,大功 率led路灯的光源采用低压直流供电 由GaN功率型蓝光led与黄色荧光粉合成的高 效白光le

  http://blog.alighting.cn/niolighting/archive/2011/11/22/255027.html2011/11/22 11:01:52

led专利出路应从申请转移至实施和许可授权

d全产业链的专利布局早在上世纪80年代就已开始,并且在以蓝宝石和sic衬底上生长GaNled外延、芯片方面的专利布局已本完成,所以说总体形势是不容乐观的。  中科院苏州纳米技术

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/12/5/302456.html2012/12/5 22:33:21

led专利出路应从申请转移至实施和许可授权

d全产业链的专利布局早在上世纪80年代就已开始,并且在以蓝宝石和sic衬底上生长GaNled外延、芯片方面的专利布局已本完成,所以说总体形势是不容乐观的。  中科院苏州纳米技术

  http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304217.html2012/12/17 19:34:26

led与我国照明电器工业

点。目前,国外的研究方向主要是氮化镓(GaNled的大功率、高亮度、低成本。#next#   国内约20余家研究机构和企业正在进行GaN蓝绿光led与白光led的研究和开发,但目

  http://blog.alighting.cn/1322/archive/2007/11/26/8135.html2007/11/26 19:28:00

半导体照明led---第三代照明革命

度led产品中,GaN芯片由于产品附加值高,各国(地区)竞相扩大产能。GaN芯片的产能主要集中在台湾和日本,但中国大陆和韩国产能增长迅速,也成为重要的生产区域。   led产业面

  http://blog.alighting.cn/hdking/archive/2010/1/4/24640.html2010/1/4 22:02:00

led倒装(flip chip)简介

功率led由于芯片的功率密度很高,器件的设计者和制造者必须在结构和材料等方面对器件的热系统进行优化设计。目前GaN外延衬底材料有两大类:一类是以日本日亚化学为代表的蓝宝石;一

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00

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