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用两种以上不同折射率（或介电常数）材料做周期性变化来达成光子能带的物质。所以光子晶体（photonic crystal）被发现已将近20年后的今天，在各领域的应用有著相当令人激
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230322.html2011/7/20 0:08:00
出量，所以，有逐渐朝向在芯片表面建立texture或photonics结晶的架构。例如德国的osram就是以这样的架构开发出「thin GaN」高亮度led，osram是在inga
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230316.html2011/7/20 0:05:00
产300亿只的能力，实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产，年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯，突破GaN材料的关键技术，实现蓝、绿、白的led的中批量生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230306.html2011/7/19 23:56:00
v，|vthp|=1 v，2up=un，因为其它管子的宽长比也可以同理求得。由于流过开关管的电流比较大，开关管的宽长比很大，一般采用晶体管并联的形式，在版图上通常以waffle的结构实现。如
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230304.html2011/7/19 23:55:00
出电压。其损耗主要来自电容器的esr(等效串联电阻)和内部开关晶体管的rds（on）。电荷泵转换器不使用电感，因此其辐射emi可以忽略。输入端噪声可用一只小型电容滤除。它输出电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230305.html2011/7/19 23:55:00
器在16 mhz运行时，可用作 cpu总线时钟(4 mhz)的基础，节省了外部元件成本。 设计者也能利用诸如外部rc或晶体振荡器等的时钟运行器件。其定时器接口模块具有执行输入捕获的能
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“thin GaN”高亮度led。原理是在inGaN层上形成金属膜，之后再剥离蓝宝石，这样，金属膜就会产生映像的效果而获得更多的光线取出，根据osram的资料显示，这样的结构可以获得75
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230298.html2011/7/19 23:50:00
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串的恒流驱动器提供电压。ccfl驱动电路逆变器电路可以分为两组：输出功率较低的一组采用功率晶体管作为初级电路开关器件，而输出功率较高的一组则采用fet。变压器对输入电压进行升压。在设
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230160.html2011/7/19 0:17:00
d正向电流的办法与精准性，需要车用电池组与充电系统以及串联限制电阻器。在调节led工作电流时创新使用标准n型沟道耗尽型晶体管(jfet)比使用电阻能获得更好的效果。jfet可以被看
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