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. 外壳防护：ip65 3. 进线口螺纹：g3/4 4. 引入电缆：φ6~φ14mm 5. 外形尺寸：210×206×350mm 6. 总重量：6kg 六、品质保证 本产
http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/230057.html2011/7/18 16:09:00
灯额定电压:220vac 50hz 2、fw6300防爆行灯外壳防护:ip65 3、fw6300防爆行灯引入电缆:φ8~φ10mm 4、fw6300防爆行灯外形尺寸:35
http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/230003.html2011/7/18 14:26:00
池板的基本荷载为730N。考虑1.3的安全系数,f = 1.3×730 = 949N。所以,m = f×1.545 = 949×1.545 = 1466N.m。根据数学推导,圆环
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229966.html2011/7/17 23:39:00
后减弱,最强发射时铕含量为0.1%左右。图2为这些荧光粉的激发光谱。由图可知,这些荧光粉在350Nm下和400Nm以上能够被有效激发,且随铕含量的不同,其激发光谱的形状没有明显的区
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
为mocvd技术是以iN有机源为金属源,以N2作为载气,Nh3作为氮源,通过二步制程或其它手段在低温500℃左右进行iNN生长。mocvd的生长速度适中,可以比较精确地控制外延薄
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
度适合。?ゼbr②可获得电导率高的p型和N型材料。③可获得完整性好的优质晶体。④发光复合几率大。外延技术与设备是外延片制造技术的关键所在,金属有机物化学气相淀
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
及 技术要求,无法简单地将分立器件的封装用于led。led的核心发光部分是由p型和N型半导体构成的pN结管芯,当注入pN结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发出可见光,紫外 光或
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
→窗口图形光刻→sio2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→p极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。其实外延片的生产制作过程是非常复杂的,在展完外延片
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
底杂质浓度。若生长温度降低,则外延层的载流子浓度也随之下降；提高as/ga比,则有可能引起材料的导电类型从p型转向N型。(3)、金属有机物和ash3的纯度反应物质的纯度将严重地限制
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
术相对成熟；不足方面虽然很多,但均一一被克服,如很大的晶格失配被过渡层生长技术所克服,导电性能差通过同侧p、N电极所克服,机械性能差不易切割通过激光划片所克服,很大的热失配对外延
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
