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夫（lossewo。w。）在1923年就发现了半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体的p－n结电致发光原理制成的发光二极管只是到了60年代后期才得以迅速发展。近年来，由
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261562.html2012/1/8 21:50:50
w，工作电流40ma；用于ac220v功率在3.3w-4w，工作电流20ma（图4）。led晶粒直接邦定在铜铝基板上。引脚如图5所示。图4：首尔半导体的ac led图5：ac led引
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261561.html2012/1/8 21:50:48
目前，led应用的散热问题是led厂家最头痛的问题。散热基板是一种提供热传导的媒介，led→散热基板→散热模块，它可以增加led底部面积，增加散热面积，主要由铜箔电路/陶瓷粉末
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261540.html2012/1/8 21:48:56
率指标控制必须非常严格，这是封装业的重中之重。以往，制约led封装技术发展的因素被认为主要存在于以下三个方面：一是关键的封装原材料，如基板材料、有机胶(硅胶、环氧树脂)、荧光粉等性
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261533.html2012/1/8 21:48:39
样灯具所用的led光源数量将明显减少,有助于灯具成本的下降。 3.发展新型衬底材料。现在的大功率led芯片衬底材料一般都为蓝宝石或SiC,这两种材料价格都非常昂贵,且都为国外大企业
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261531.html2012/1/8 21:48:34
由于led技术的进步，led应用亦日渐多元化，由早期的电源指示灯，进展至具有省电、寿命长、可视度高等优点之led照明产品。然而由于高功率led输入功率仅有15至20%转换成光，其余
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261473.html2012/1/8 21:40:12
体的制作技术，应该可以克服上述困扰。如上所述提高施加电力的同时，必需设法减少热阻抗、改善散热问题，具体内容分别是：降低芯片到封装的热阻抗、抑制封装至印刷电路基板的热阻抗、提高芯片的散
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261469.html2012/1/8 21:39:20
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261468.html2012/1/8 21:39:16
粉 四、蓝led+znse单结晶基板 目前手机、数字相机、pda等背光源所使用之白光led采用蓝光单晶粒加yag萤光而成。随着手机闪光灯、大中尺寸（nb、lcd-tv等）显示屏光
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指在led负载端和220v输入端有直接连接，因此触摸负载就有触电的危险。220v和铝壳之间只有铝基板的极薄绝缘层的隔离，通常不容易通过ce和ul认证。 图2. 隔离式led日光灯电
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