站内搜索
大家在做led测试时应该会发现当以高频电流驱动器，经常会出现烧黑现象，最终导致死灯。具体表现在金线周围胶体因持续高温下硅胶碳化烧黑，这是由于高频下阻抗远高于直流阻抗，阻抗的升高
https://www.alighting.cn/resource/20090317/128843.htm2009/3/17 0:00:00
近年来，以半导体照明为主体的山东省光电子产业取得了快速发展，日前碳化硅单晶生长炉在山东大学晶体材料国家重点实验室研制成功，制约山东省高性能大功率光电子产业发展的主要瓶颈已被打破。
https://www.alighting.cn/news/2008819/V17015.htm2008/8/19 10:48:25
新的大功率芯片若采用传统式的led封装形式，将会因为散热不良而导致芯片结温讯速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直 至失效，甚至因为讯速的热膨胀所产生的应用力造成开路而失
https://www.alighting.cn/news/2008318/V14496.htm2008/3/18 11:12:41
https://www.alighting.cn/news/2009317/V19099.htm2009/3/17 11:27:35
cree指出，xt-e led与最近推出的xb-d led是以最新碳化矽(silicon carbide)科技平台为基础，大幅改变了led的价格功能比。cree革命性的新平台克
https://www.alighting.cn/news/20120224/113871.htm2012/2/24 11:49:29
体照明领域的最早申请日差距最大的相差24年，最小也有5年，普遍在10年左右。上游产业中的传统技术手段如芯片电极、划片、封装材料、外延缓冲层、碳化硅衬底的时间差距最大，一般在15年到2
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/12/30/124591.html2010/12/30 12:57:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126725.html2011/1/9 19:47:00
持；基于碳化硅衬底的led核心专利则主要被cree所垄断，严重阻碍国内led产业的发展；中国led外延片和芯片制造厂家，普遍缺乏受过良好教育与训练，有知识、有技术、有经验的高级企业管
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126747.html2011/1/9 20:00:00
延片生长技术采用这种技术可以进一步减少位元错密度,改善gan外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
射出发光体的能量最多只有百分之三十左右，大部分的能量仍然还是以热能形式残留在led芯片上。led芯片本身的衬底材料、固晶方式也越来越趋于高效导热： (一)碳化硅衬底是目前导热率最
http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/2/22/264686.html2012/2/22 15:55:11
