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[转载]内置电源led日光灯的缺点和问题

以内置式电源的形状通常都是做成长条形,以便塞进半圆形的灯管中去。内置式电源有两种,一种是非隔离式(图1),一种是隔离式(图2)。 图1.非隔离式led日光灯电源   非隔离是

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/6/22/51931.html2010/6/22 17:54:00

qjz-315/1140 型矿用真空电磁起动器

能达到当今国际先进水平。   该软起动器适用于含有爆炸性气体(甲烷)和煤尘的煤矿。在交流50hz,电压1140v或660v供电系统中,对400A以下电流的三相鼠笼电机进行软起动、

  http://blog.alighting.cn/dongyagk200910/archive/2010/9/25/99390.html2010/9/25 14:20:00

大功率led封装以及散热技术

型gAn:mg淀积厚度大于500A的niAu层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层,露出n型层;第三步,淀积、刻蚀形成n型欧姆接触层,芯片尺寸为1×

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114843.html2010/11/18 0:13:00

大功率led封装以及散热技术

型gAn:mg淀积厚度大于500A的niAu层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层,露出n型层;第三步,淀积、刻蚀形成n型欧姆接触层,芯片尺寸为1×

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00

大功率led封装以及散热技术

型gAn:mg淀积厚度大于500A的niAu层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层,露出n型层;第三步,淀积、刻蚀形成n型欧姆接触层,芯片尺寸为1×

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再谈发展我国ingAAlp红光led的问题

0.3A,为 1.89瓦,而led的功耗一般为2v×20mA, 仅有0.04瓦(40毫瓦),一个led指示灯取代白炽指示灯泡所用电能只有原来的2%,如果采用光强增大10

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00

手机白光led驱动电路解决方案分析

灯也不适用于视频拍摄的用途。庆幸的是,led制造商已经着手通过采用如氮化铟镓(ingAn)等新材料来提升功率led的光输出。 图1:基于ncp5005的电感式led驱动电

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134132.html2011/2/20 23:00:00

利用表面粗化技术提高发光二极管的出光效率

管外量子效率不高的原因很大程度上在于氮化物外延层和空气的反射系数差异较大导致的全反射问题。根据报道, gAn 和空气的反射系数分别是 2.5 和 1 。因此在 ingAn-gA

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00

全面分析led灯具对低压驱动芯片的要求

毁。   5. 驱动芯片的标称输出电流要求大于1.2-1.5A,作为照明用的led光源,1w功率的led光源其标称工作电流为350mA,3w功率的led光源其标称工作电流

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2011/4/12/165043.html2011/4/12 16:34:00

沛县新城区写字楼楼体景观照明工程招标公告(三次公告)

楼体景观照明工程施工承包单位。沛县建都招标投标代理有限公司受沛县城市投资开发有限公司委托负责该工程的招标事宜。 一、招标工程概况: 1 工程名称:沛县新城区写字楼楼体景观照

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