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韩国多晶硅生产商oci company, ltd.今日斥资4730万美元订购gt solar最新型sdr?400 cvd反应器。该订单将被纳入gt solar当前的2011会计年
https://www.alighting.cn/news/20101214/115688.htm2010/12/14 9:16:15
用的通用芯片是74hc595，具有8位锁存、串一并移位寄存器和三态输出功能。每路最大可输出35 ma的电流(不是恒流)。一般ic厂家都可生产此类芯片。 由于led是电流特性器
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120565.html2010/12/13 23:09:00
位瓦特发光流明数；日亚化学则利用一体化rgb白光le，试作液晶显示器的背光模块，它的单位瓦特发光流明数大约是传统冷阴极灯管背光模块的80%左右，如果改用单体rgb白光led，由于必
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120563.html2010/12/13 23:08:00
于很多纳米技术包括数据存储都非常重要。而且装配过程也非常适于将来投入商业化生产。 这些纳米级别的设备对于下一代高密度低成本科技（包括传感器和光通信等）而言是不可缺少的。而紫外le
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120561.html2010/12/13 23:07:00
有低吸水率。经实验证明：最好采用官能团数多，分子量大的原料与环氧氯丙烷反应后形成缩水甘油醚，这类原料包括联苯、荣和脂肪族多环化合物(如二聚环戊二烯)。此外，添加填料对防止水分渗透是
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120555.html2010/12/13 23:05:00
上厂家生产的外延片和芯片的技术性能大多为中低档，一直停留在上一世纪90年代初期（1994年）的带有布拉格反射器的gaas衬底结构，如图1所示,这种结构的发光效率一般仅为10lm/
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
共两组，均为共阴极结构）提供恒定电流。在不具备外置电阻器的情况下，电流源默认为出厂时设定，预设电流电平的精度为 ±0.5%（典型值）。可选的外置电阻器可用于设置具有更高精度的用户可编
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120545.html2010/12/13 23:03:00
多后导致外延片均匀性不够。发展趋势是 两个方向：一是开发可一次在反应室中装入更多个衬底外延片生长，更加适合于规模化生产的技术，以降低成本；另外一个方向是高度自动化的可重复性的单片设
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
出，满足不同场合的要求。系统结构如图1所示。主要可分为以下部分：带隙基准电路，软启动电路，振荡器，1.5倍压电荷泵，数字调光模块。当en／set端输入高电平时，芯片启动，vin经过
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120540.html2010/12/13 23:01:00
专为通信、计算和消费电子设备提供电源管理的集成电路开发商研诺逻辑科技有限公司宣布其日益扩大的高电流白光发光二极管（wled）闪光灯驱动器系列又增加了两名新成员。产品编号为aa
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120536.html2010/12/13 23:00:00
