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散热的误区

米辐射材料 辐射散热在目前灯具温度50摄氏度左右的情况下所占的比重可以忽略。而厂家宣传的辐射涂层即使象他们宣传的那样有很好的辐射效果,哪怕就达到黑体辐射的辐射能力,其散热比重不过百

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258408.html2011/12/19 10:45:17

剖析:led照明产业热、市场冷现

在3528贴片封装占据led灯管主要地位,但其70%以上的成本均用于铝制散热外壳的成本和加工,使得贴片封装的高昂成本阻碍着led照明的普及。    目前led封装成本占到50%,要

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258472.html2011/12/19 10:55:30

半导体照明市场:五万亿美元的诱惑

光二极管照明。日本的“ 21 世纪光计划”载明,从 1998 年到 2002 年耗费 50 亿日元推行白光照明;美国的国家半导体照明计划则是从 2000 年到 2010 年,耗资

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258546.html2011/12/19 10:59:05

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

半导体照明市场:五万亿美元的诱惑

光二极管照明。日本的“ 21 世纪光计划”载明,从 1998 年到 2002 年耗费 50 亿日元推行白光照明;美国的国家半导体照明计划则是从 2000 年到 2010 年,耗资

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261520.html2012/1/8 21:47:41

led芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42

剖析:led照明产业热、市场冷现

在3528贴片封装占据led灯管主要地位,但其70%以上的成本均用于铝制散热外壳的成本和加工,使得贴片封装的高昂成本阻碍着led照明的普及。    目前led封装成本占到50%,要

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261590.html2012/1/8 21:54:45

散热的误区

米辐射材料 辐射散热在目前灯具温度50摄氏度左右的情况下所占的比重可以忽略。而厂家宣传的辐射涂层即使象他们宣传的那样有很好的辐射效果,哪怕就达到黑体辐射的辐射能力,其散热比重不过百

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261643.html2012/1/8 22:26:33

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