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、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50
衬底材料砷化镓单晶、氮化铝单晶等。它们大部分是iii-v族化合物半导体单晶，生产工艺比较成熟，已有开启即用的抛光征供货。其他原材料还有金属高纯镓，高纯金属有机物源如三甲基镓、三乙基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109152.html2010/10/20 17:35:00
当前全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下，节约能源是我们未来面临的重要的问题，在照明领域，led发光产品的应用正吸引着世人的目光，led作为一种新型的绿色光源产品，必然是未来发展的趋
https://www.alighting.cn/news/2013128/n033248602.htm2013/1/28 15:42:38
光宝科执行长滕光中指出，去年是led最坏的一年，整个产业经过这一波的秩序调整，2012年可迈向健康发展的路。led磊晶厂晶电、亿光认为3月需求开始可见逐步回笼，亿光亦自信公司在今年
https://www.alighting.cn/news/20120105/89544.htm2012/1/5 10:24:39
镓,氮化镓,磷化镓,和蓝宝石等,可用来制作led.在复合半导体上生长出光子层并转移到硅或相似的材料的支撑晶圆上,并且晶圆的背面是暴露出来的。现在复合半导体只有大到4英寸。这就限制了le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230116.html2011/7/18 23:52:00
随着技术的发展，led的效率有了非常大的进步。在不久的未来led会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造led芯片过程中首先在衬底上制作氮化鎵（GaN）基的外延片(外延片)，外延片所
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00
衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。衬底材料的技术对于led的发展至关重要；本文，简单介绍几种常用的衬底材料，以飨读者；
https://www.alighting.cn/resource/20101119/128220.htm2010/11/19 11:23:36
司在有氮化镓（GaN）的碳化硅（sic）方面上独一的材料专长知识，来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比别的现有技术，材料及产品放热更
http://blog.alighting.cn/jiangjunpeng/archive/2010/8/23/92308.html2010/8/23 20:49:00
0年的1200亿颗增长到1650亿颗，增长超过40%;而到了2013年，led的芯片出货量将达到2010年的两倍。整体而言，2011年氮化镓led的市场仍将延续2010年的成长力
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/27/180478.html2011/5/27 22:35:00
件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。 在led的基底材料方面，除传统蓝宝石基底材料外，硅(si)、碳化硅(sic)、氧化锌(zno)、氮化镓(GaN)...
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
