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探究oled的无源驱动技术的发展现状

为了达到oled 的均匀显示效果和解决交叉效应,首先分析了oled 结构特性以及无源oled 器件的驱动特点,介绍了oled 的无源驱动技术。其次,为了达到均匀的现示,采用电流

  https://www.alighting.cn/2013/11/5 11:54:10

解读GaN on GaN led破效率与成本“魔咒”

目前工研院已成功建立高温常压磊晶机台,更已在GaN on GaN技术上深耕多年,从早期的hvpe氮化镓基板成长到目前的蓝紫光led磊晶技术,技术面皆已突破现今GaN o

  https://www.alighting.cn/2013/11/5 9:56:22

led行业2013下半年上游报告

分享一份来自国金证券研究所的《led行业2013下半年上游报告》,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/resource/20131104/125156.htm2013/11/4 15:30:50

恩智浦推出首款1.1-mm2无铅塑料封装的3a晶体管

装的晶体管。全新产品组合由25种器件组成,其中包括低rdson mosfet以及可将电流能力最高提升至3.2 a的低饱和通用晶体

  https://www.alighting.cn/pingce/20131104/121651.htm2013/11/4 11:58:44

创维液晶将在深圳组建led器件实验室

近日,深圳市科技创新委下达批复文件,同意创维液晶器件(深圳)有限公司组建“深圳市光器件系统集成基础应用技术研究重点实验室”,这是创维液晶器件公司继去年获批组建“深圳市固态光源应

  https://www.alighting.cn/news/20131104/111482.htm2013/11/4 10:21:11

海峡两岸签署《海峡两岸推动led照明共通标准制定合作备忘录》

10月21-22日,第十届海峡两岸信息产业和技术标准论坛在台北举行,工业和信息化部、华聚产业共同标准推动基金会、中国电子工业标准化技术协会、中国电子技术标准化研究院(cesi)、中

  https://www.alighting.cn/news/20131031/98440.htm2013/10/31 16:10:54

GaN外延片中载流子浓度的纵向分布

采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅GaN外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵

  https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55

led芯片常用衬底材料选用比较

对于制作led芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和led器件的要求进行选择。目前市面上一般有三种材料可作为衬底

  https://www.alighting.cn/resource/20131028/125183.htm2013/10/28 15:04:32

oled的无源驱动技术

源oled 器件亮度的均匀

  https://www.alighting.cn/resource/20131028/125184.htm2013/10/28 14:51:44

常用大功率led芯片制作工序

为了获得大功率led器件,有必要准备一个合适的大功率led面板灯芯片。国际社会通常是大功率led芯片的制造方法归纳如下。

  https://www.alighting.cn/resource/20131025/125196.htm2013/10/25 10:31:08

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