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d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274751.html2012/5/16 21:29:47
长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01
示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274731.html2012/5/16 21:28:51
图1)。3材料选用3．1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274727.html2012/5/16 21:28:31
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电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对GaN外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节省一些成本。据国外某知名公司的估计使
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6 的?光led等。由于制造采用了?、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿光led和gaas红外光led,被称为二元素发
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特的金属基覆铜板，具有良好的导热性、电气绝缘性能和机械加工性能。设计时也要尽量将pcb靠近铝底座，从而减少灌封胶部分产生的热
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274704.html2012/5/16 21:27:15
入一般的商业市场。实际上，一些分析家认为，oled将永远无法同紧凑型荧光灯和led竞争，仍将是一个利基技术。 当今市场上最大的15*15厘米oled面板，由lumiotec生
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/5/16/274593.html2012/5/16 17:35:11
虽然东芝和普瑞光电合作仅数月，他们已经对外公布在8英寸矽衬底生长出高品质的GaN，所得led芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1v，电流为350ma的情况下该芯片功耗为61
https://www.alighting.cn/news/20120516/113503.htm2012/5/16 11:24:52
