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、osram、日亚化，但在led业界仍居领先地位。不过，由于中国大陆led磊晶/晶粒技术很快就会有更进一步之突破，预期在接下来1-2年时间里，台湾所有led磊晶/晶粒厂商(其他还有新世
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261373.html2012/1/8 20:22:27
类低衰胶水封装，在同样的老化环境下，千小时光衰为12%;如果b类低衰胶水封装，在同样的老化环境下，千小时光衰为-3%;如果a类低衰胶水，在同样的老化环境下，千小时光衰为-6
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261371.html2012/1/8 20:22:20
常工作热试验中测得的安装表面温度分别不超过90+5℃和130+5℃； （2）灯控制装置类型要求：带符合iec61558-2-4/iec61558-2-6/iec60989的变压
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261367.html2012/1/8 20:22:00
统的照明方案往往是采用专用器件来实现的，难以满足快速发展的需求。 因此，一个优秀的照明平台解决方案无疑需要支持灵活的拓扑结构应用，并满足dali、dmx512、0-10v、无线
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261350.html2012/1/8 20:20:32
例如-coor基團，能產生紫外-可見吸收的官能團，如一個或幾個不飽和基團，或不飽和雜原子基團，c=c, c=o, n=n, n=o等稱為生色團（chromophore）; 助色
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261344.html2012/1/8 20:19:53
随着我国经济的持续高速增长，能源消耗不断增加，能源紧张的矛盾日益突出。“研究开发高效节能、长寿命的半导体照明产品”被列入国家中长期科学和技术发展规划（2006-2020）“能源
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261342.html2012/1/8 20:19:46
除gaas衬底,代之于全透明的gap晶体。由于芯片内除去了衬底吸收区,使量子效率从4%提升到了25-30%。为进一步减小电极区的吸收,有人将这种透明衬底型的ingaalp器件制作
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
个伏安特性左移，电流io不变，电压变为v2。这两个电压差被温度去除，就可以得到其温度系数，以mv/º；c表示。对于普通硅二极管，这个温度系数大约为-2mv/º；c。但是led大多数不
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261337.html2012/1/8 20:19:24
信输入和输出，交流和直流，单相和多相、正极和负极、电压值和电流值等正确无疑，方可通电运行。 三、对于大功率led开关电源，一般均有三个或三个以上的“+”输入端子和“-”输出端子，实
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261335.html2012/1/8 20:19:17
于led,oled是一种固态半导体设备，其厚度为100-500纳米，比头发丝还要细200倍。oled由两层或三层有机材料构成；依照最新的oled设计，第三层可协助电子从阴极转移到发射
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