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大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5alGainn/碳化硅(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5alGainn/碳化硅(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00

剖析led照明产业热、市场冷现象

们就必须选择更合适的封装结构,所以改变现有的封装结构,实现合理的封装成本,将是led照明被市场接受的最有效、最直接的途经。当然,led芯片随工艺、出货量增加、采用更大尺寸晶圆制作工

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233121.html2011/8/20 0:05:00

剖析led照明产业热、市场冷现象

们就必须选择更合适的封装结构,所以改变现有的封装结构,实现合理的封装成本,将是led照明被市场接受的最有效、最直接的途经。当然,led芯片随工艺、出货量增加、采用更大尺寸晶圆制作工

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258502.html2011/12/19 10:56:50

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5alGainn/碳化硅(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5alGainn/碳化硅(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10

剖析led照明产业热、市场冷现象

们就必须选择更合适的封装结构,所以改变现有的封装结构,实现合理的封装成本,将是led照明被市场接受的最有效、最直接的途经。当然,led芯片随工艺、出货量增加、采用更大尺寸晶圆制作工

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261563.html2012/1/8 21:50:52

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5alGainn/碳化硅(sic)背面出光法: 美国cre

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42

剖析led照明产业热、市场冷现象

们就必须选择更合适的封装结构,所以改变现有的封装结构,实现合理的封装成本,将是led照明被市场接受的最有效、最直接的途经。当然,led芯片随工艺、出货量增加、采用更大尺寸晶圆制作工

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262737.html2012/1/29 0:41:28

大功率led封装以及散热技术

底上生长出pn结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料,制造出上下电极结构的大尺寸蓝光led芯片。 2.5alGainn/碳化硅(sic)背面出光法: 美国cre

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