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高接触电阻。图1 led i-v特性曲线 如图1： （1） 正向死区：（图oA 或oA′段）A点对于v0 为开启电压，当v＜vA，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229836.html2011/7/17 22:29:00
于2007年9月所公布有关固态光源灯具设备的“能源之星（energy stAr®）”规范，其中A类要求（neAr-term ApplicAtions）系根据不同的灯具设备及应用（
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及内部差动电流检测放大器,形成控制回路,使led 电流稳定;有en端作选通及输入pwm信号作调光(en接低电平时,耗电典型值12μA);小尺寸有加强散热功能的16管脚tqfn封
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229863.html2011/7/17 22:45:00
流市电入口接有1A保险丝f1和抗浪涌/雷击的压敏电阻vz1;之后是emi滤波器,由ld1、lc1和cx1、cx2组成;db1是全桥整流器,内部是4个高压硅二极管;ce1、ce2、r1
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229869.html2011/7/17 22:49:00
定。 2 Ap3766采用专有的“亚微安启动电流”技术,仅需0.6μA的启动电流,因此降低了启动电阻r1和r2上的功耗,提高了系统效率。典型5w应用效率大于80%,空载功耗小于3
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229872.html2011/7/17 22:50:00
路,馈流供电是利用已经做在芯片内部的整流二极管来实现的。 从Ac220v看进去,交流市电入口接有1A保险丝f1和抗浪涌/雷击的压敏电阻vz1;之后是emi滤波器,由ld1、lc
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块；其工作电流由早期20mA左右的低功率led,进展到目前的1/3至 1A 左右的高功率led,单颗led的输入功率高达1w以上,甚至到3w、5w。封装方式更进化由于高亮度高功率le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229903.html2011/7/17 23:06:00
、100mA甚至1A级,需要改进封装结构,全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术,改善热特性。例如,采用大面积芯片倒装结构,选用导热性能好的银胶,增大金属支架的表面积,焊
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多功率型led的驱 动电流可以达到70mA、100mA甚至1A级,需要改进封装结构,全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术,改善热特性。例如,采用大面积芯片 倒装结构,选用导
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品,由于对封装和芯片进行改善可在更高的驱动电流下工作,在700mA 电流工作50000 小时后仍能保持70%的流明,在1A 电流工作20000 小时能保持50%的流明。osrAm 公司
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