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高亮度Led发光效益技术

理esd的问题,很可能会造成系统环境的失控,进而对电子设备造成 损害。ingan 晶粒一般被视为是"cLass 1"的设备,达到30kv的静电干扰电荷其实很容易发生。在对照试验中,10

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258579.html2011/12/19 11:01:19

工业级高信赖性Led路灯系统评量指针

至本身导热片(tjs)温升为δt=6~15℃之间,另外Led光效率与工作温度成反比性能特性,每升高10℃导致光衰5~8%并且寿命减半的严重后果,与一般宣传Led可工作于100℃寿命可

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258578.html2011/12/19 11:01:16

基于tLc5902的Led图像显示屏的驱动控制

0~dout7、out0~out15)、输出锁存信号Latch、移位时钟dcLk、移位使能信号enabLe、占空比控制时钟gscLk。该图像屏可分为5行10列共50个16%26;#21

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258574.html2011/12/19 11:01:08

浅谈Led產生有色光的方法

节,本身又耐冲击、抗振动、寿命长(10万小时)。製造Led的材料不同,可以產生具有不同能量的光子,藉此可以控制Led所发出光的波长,也就是光谱或顏色。史上第一个Led所使用的材料是

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258572.html2011/12/19 11:01:04

Led芯片寿命试验

验条件的确定电子产品在规定的工作及环境条件下,进行的工作试验称为寿命试验,又称耐久性试验。随着Led生产技术水平的提高,产品的寿命和可靠性大为改观,Led的理论寿命为10万小时,如果

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258569.html2011/12/19 11:00:50

2048像素Led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型Led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度Led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258564.html2011/12/19 11:00:39

2048像素Led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型Led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度Led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。表

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258563.html2011/12/19 11:00:36

Led芯片的技术发展状况

5~525 nm)发光芯片。台湾现在可以向市场提供6 mw左右的蓝光和4 mw左右的紫光芯片,其实验室水平可以达到蓝光10 mw和紫光7~8 mw的水平。国内的公司可以向市场提供3~

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35

2048像素Led平板显示器件的封装

大的差距,同日美等国相比在总体水平上至少要落后10-15年,但在高密度小型Led智能矩阵显示器的研究方面成功研制了5020型等高密度Led平板显示器,像素密度达到5-6个/mm2。

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电视灯光系统技术的发展动向

%;四是该灯具的更换费用也大大降低,该灯管使用寿命为10000小时,中、小演播室如每天用10小时,约可用3年,而白炽灯寿命为200~300小时。由于srgb灯具光线柔和,照射在人物面

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