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1月26日，philips lumileds恢复了使用薄膜倒装芯片的luxeon rebel和luxeon k2 led器件的生产。两周前有报道philips lumileds暂
https://www.alighting.cn/news/20080218/117712.htm2008/2/18 0:00:00
作为电信、医疗, 工业、航空航天和安全等领域光电器件和子系统领先的供应商，inphenix公司高兴地宣布公司已经研制出新型840nm的大功率宽带sled器件，该款sled器件的带
https://www.alighting.cn/news/20090113/120617.htm2009/1/13 0:00:00
本文追溯了氮化镓材料和蓝色发光二极管的发展历史，回顾了重要的历史事件。iii 簇氮化物是直接带隙半导体材料，发光范围紫外到红外，覆盖整个可见光区，是理想的光电器件材料。同时，具
https://www.alighting.cn/news/20150812/131735.htm2015/8/12 9:41:43
关于散热器选择的计算方法一，用于计算的参数定义：rt─── 总内阻，℃/w;rtj───器件的内热阻，℃/w;rtc───器件与散热器界面间的界面热阻，℃/w;rtf─── 散热
https://www.alighting.cn/resource/20150311/83326.htm2015/3/11 16:07:49
采用普通的alq∶dcm红光发光材料体系,制作了结构为glass/dbr/ito/npb/alq∶dcm/ mgag的有机红光微腔发光器件,实现了纯红光发射,器件发射峰位于60
https://www.alighting.cn/2013/5/8 11:30:11
首先介绍pn结结温对led器件性能的影响,接着分析大功率led结温与器件热阻的关系。基于对器件热阻的分析,得出了结温与热阻已经制约大功率led进一步向更大功率发展的结论,并提出
https://www.alighting.cn/resource/20130318/125866.htm2013/3/18 11:53:54
本文通过对蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备正装高压发光二极管(hv led) ，其产业化光效已超过 110lm/w;10μa
https://www.alighting.cn/resource/2013/10/29/104737_35.htm2013/10/29 10:47:37
下业界推出的led封装产品，相比传统分立式led封装产品，具备更好的一次散热能力，高密度的光通量输出。本文除了阐述cob的一些特点外，重点从基本原理上探讨如何提高cob的光效，寻
https://www.alighting.cn/resource/2013/8/15/145540_94.htm2013/8/15 14:55:40
《高压发光二极管(hv led)芯片开发及产业化》通过对普通蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备出正装高压发光二极管(hv le
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/20/162618_06.htm2011/6/20 16:26:18
通过对蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备正装高压发光二极管(hv led) ，其产业化光效已超过 110lm/w;10μa 下点
https://www.alighting.cn/resource/20110604/127514.htm2011/6/4 22:12:37
