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元）、意大利（11.3亿美元）、德国（10.59亿美元）和法国（9.81亿美元）。主要出口货源国依次为瑞士（4.47亿美元）、阿联酋（3.68亿美元）、南非（2.62亿美元）、伊拉
http://blog.alighting.cn/kang1987/archive/2011/1/13/127221.html2011/1/13 13:17:00
d，被称为二元素发光管。而目前最新的制程是用混合铝(al)、钙(ca) 、铟(iN)和氮(N)四种元素的algaiNN 的四元素材料制造的四元素led，可以涵盖所有可见光以及部份紫外
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127092.html2011/1/12 17:24:00
技部项目验收。 si衬底led芯片制造 1.1技术路线 在si衬底上生长gaN，制作led蓝光芯片。 工艺流程：在si衬底上生长alN缓冲层→生长N型gaN
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
led是一种场致发光光源，其发光原理是在p-N结两端加上正向电压，则p区中空穴会流向N区。而N区中的电子会流向p区。随着少数载流子和多数载流子的复合放出能量，其中一部分能量转化为
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127040.html2011/1/12 16:43:00
明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2 沉积→窗口图形光刻→sio2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→p 极图形光刻→镀膜→剥
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
o3和si3N4,或复合缓冲层；如alN/3c-sic,alN/gaN/alN等等。alN缓冲层是目前较为普遍使用的缓冲层技术之一。liaw等人报道了采用转化的 sic膜加氮化铝复
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
片的透明电极(ito、ruo2、zNo及Nio)表面做成光子晶体结构，其方法为：首先在倒装焊芯片的透明电极表面贴一层保护膜层，如光刻胶pr， 二氧化硅sio2，氮化硅 si3N4
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
本文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究，这种管型基元led结构是将N个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上，通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/resource/2011/1/6/101442_72.htm2011/1/6 10:14:42
、gaasp（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是pN结。因此它具有一般p-N结的i-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由
http://blog.alighting.cn/led9898/archive/2011/1/4/125756.html2011/1/4 17:38:00
场的作用下，各自向相反方向运动，离开势垒区，结果使p区电势升高，N区电势降低，从而在外电路中产生电压和电流，将光能转化成电能。 led半导体如何将电能转化为光能：led是一种在p－N
http://blog.alighting.cn/led9898/archive/2011/1/4/125719.html2011/1/4 15:33:00
