站内搜索
v z-fet?碳化硅mosfet器件和三款z-rec?碳化硅肖特基二极管，能够提供创纪录的能效以及比传统技术更低的拥有成本，开创了新一代电源系
https://www.alighting.cn/pingce/20120514/122690.htm2012/5/14 9:35:49
德国爱思强股份有限公司今日宣布，与波兰华沙大学签订mocvd 系统新订单。根据合同，华沙大学订购了一台3x2 英寸规格的近耦合喷淋头(ccs)反应器，将用于氮化镓(GaN)材
https://www.alighting.cn/news/20120509/113375.htm2012/5/9 10:36:35
日本碍子称，开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透
https://www.alighting.cn/news/201259/n962139582.htm2012/5/9 9:04:39
日本碍子2012年4月25日发布消息称，开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现
https://www.alighting.cn/pingce/20120508/122438.htm2012/5/8 11:17:20
据意见稿提出，十二五半导体照明的具体目标为，白光led器件光效达国际同期先进水准(150-200 1m/w)，led光源/ 照明灯具光效达到80 lm/w，矽基半导体照明、创新应
https://www.alighting.cn/news/20120508/99412.htm2012/5/8 10:08:58
现。 热点二：2012年led封装技术四大发展趋势 led封装技术目前主要往高发光效率、高可靠性、高散热能力与薄型化四个方向发展，目前主要的亮点有：硅基led、cob封装技术、覆晶
http://blog.alighting.cn/langshi/archive/2012/5/7/273708.html2012/5/7 17:55:08
员研发出了新型超高亮度led食品均匀照明技术，该技术对led照明与反射技术进行了集成，将很好解决食品照明问题。而日本东京大学则致力于研发新款矽胶制led，与目前的氮化镓(GaN)
https://www.alighting.cn/news/201254/n134639441.htm2012/5/4 16:03:26
4月27日，日本led制造商丰田合成和昭和电工宣布组建合资企业，生产GaN基led芯片，以解决高端led芯片应用市场。丰田合成与昭和电工在2009年曾签署了一项专利交叉许可协议。
https://www.alighting.cn/news/201254/n808139433.htm2012/5/4 10:27:55
寸的晶圆配置g5 ht 反应器，该系统将用于制造超高亮度 (ultra-highbrightness) GaN 蓝色及白色发光二极管(led)产
https://www.alighting.cn/news/20120504/113689.htm2012/5/4 9:25:15
台厂光磊、光颉转投资的朗天科技，转型生产利基型的led照明初见成效。5月2日，朗天表示，2012年初产品开始出货，首季营收达500万新台币，年底可望成长到5000万新台币目标，达
https://www.alighting.cn/news/20120503/113699.htm2012/5/3 13:55:35
