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采用x射线多功能四圆衍射仪测绘出GaN/gaas(0 0 1 )外延层中六角相的{0 0 0 2 }和 {1 0 1 0 }极图 ,结果表明外延层中六角相与立方相之间的取向关系
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127171.htm2011/9/9 9:03:08
在拥有自主知识产权的外延炉上培养外延人材，开发外延技术，从根本上保障我国半导体照明产业的可持续发展，提升我国半导体照明产业的竞争能力。
https://www.alighting.cn/news/2010518/V23743.htm2010/5/18 9:54:56
在led应用，蓝宝石晶棒形成后经过切割、研磨、抛光，成为蓝宝石基板，再送至如晶电、璨圆、光磊等上游磊晶厂，利用化学法，如有机金属化学气相沉积法(mocvd)将化合物打到基板上行成
https://www.alighting.cn/news/20140317/87707.htm2014/3/17 10:12:56
在散热机构的设计方面，日本厂商与海外厂商也存在明显的不同。海外厂商的led灯泡大多采用led封装基板与底座(散热片)紧密贴合的构造。另外，还有很多产品通过机械加工方式对连接le
https://www.alighting.cn/news/20110415/91842.htm2011/4/15 11:51:39
铝、铜散热基板制造商清晰科技，为因应市场需求，2010年斥资新台币4亿元扩厂，2,500坪的新厂房将于12月落成，届时散热金属覆铜箔基板每月产能可提升至15万平方米，导热胶片45
https://www.alighting.cn/news/20101117/107687.htm2010/11/17 0:00:00
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底GaN基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
在si衬底GaN 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
strategies unlimited在日前最新发布的研究报告中指出，目前市场对蓝紫光激光二极管、uv led以及其他器件的需求日益增长，这将推动类似GaN和aln等先进衬底市
https://www.alighting.cn/news/20090601/95276.htm2009/6/1 0:00:00
a barbara；ucsb）非极性GaN材料研究团队，日前宣佈该团队研发出的蓝紫光inGaN le..
https://www.alighting.cn/news/20070510/106256.htm2007/5/10 0:00:00
