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素的有机化合物和ⅴ族元素的氢化物等作为晶体生长原料,以热分解反应方式在衬底上进行汽相外延,生长各种ⅲ-ⅴ族、ⅱ-ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄膜层单晶材料。mocvd是在
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
刷的方法在金属电极间制作氧化钯薄膜电子发射阴极。上图右下角就是单个像素的示意图。生成了氧化钯膜的金属电极间距只有4-6个纳米,当金属电极间加上10几伏的电压后,极间将形成超高电场,氧
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229937.html2011/7/17 23:25:00
免ｍｏ ｇａｓ金属有机蒸发源与ｎｈ３在预热区就先进行反应３进料流速与薄膜长成厚度均。一般来说ｇａｎ的成长须要很高的温度来打断ｎｈ３之ｎ－ｈ的键解，另外一方面由动力学仿真也得
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230341.html2011/7/20 0:17:00
题，但是与集成电路中互连线金属电迁移有所不同，主要是纵向迁移，即p型欧姆接触金属沿缺陷管道电迁移到达结区造成短路[7－11]，导致器件失效。由于没有匹配的衬底材料，外延生长的gan薄
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
用旋涂、喷墨印刷等方法制备薄膜，从而有可能大大地降低器件生产成本，但目前该技术远未成熟。 由于 oled 具有高亮度、宽视角、响应速度快、易于实现高分辨率全彩色显示、低电压直
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230509.html2011/7/20 23:24:00
压(450伏). 3、严格选用高标准的薄膜电容、电阻和晶体二极管。 4、有效光效达到150pim/w（瞳孔流明每瓦）。 5、功率因数最高达到0.95，ic控制电子整流
http://blog.alighting.cn/duliang/archive/2011/7/24/230662.html2011/7/24 15:56:00
品；光伏模、组件及相关生产设备；硅太阳电池；薄膜太阳电池；太阳电池透明封装材料；逆变器等；风能，地热能，潮夕能研发设备和技术应用。 敬请关注我司其他展会计划： 捷克 布拉格
http://blog.alighting.cn/meixiaozhang/archive/2011/7/27/231055.html2011/7/27 18:31:00
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/18/232790.html2011/8/18 23:40:00
看,在led领域,除去市场较为熟悉的三安光电、联创光电、同方股份等公司外,下游灯具中浙江阳光、雪莱特、佛山照明将明显受益,光伏建筑一体化和智能建筑方面除泰豪科技、延华智能外,太阳能薄膜电
http://blog.alighting.cn/szrgb/archive/2011/10/25/248617.html2011/10/25 17:23:39
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258596.html2011/12/19 11:02:09
