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gan氮化镓(gallium nitride)

由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm),比硅(si)要宽3倍。利用该特性,gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和铝(

  https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42

激光切割在led行业的应用及发展

激光加工由于具有能量集中、热影响区域小、不需接触加工工件,对工件无污染、不受电磁干扰,且激光束易于聚焦、导向、便于自动化控制等优点。 现已广泛应用于半导体、led和光伏太阳能等许多

  https://www.alighting.cn/2013/1/11 17:26:28

led模组化——led发展新趋势

led封装是一个涉及到多学科(如光学、热学、机械、电学、力学、材料、半导体等)的研究课题。从某种角度而言,led封装不仅是一门制造技术,而且也是一门基础科学,良好的封装需要对热学、

  https://www.alighting.cn/resource/20130110/126184.htm2013/1/10 15:19:16

led典型失效案例及预防

本文主要列举一些客户在使用led光源及apt 在长期的实验过程中遇到的典型失效案例,并分析可能的失效原因,最后给出相应的预防措施,引导客户更好的使用led光源。

  https://www.alighting.cn/resource/20121219/126248.htm2012/12/19 10:48:50

2010-2015年中国led衬底材料市场调研及投资发展前景分析报告

本文转载自新世纪led论坛一篇研究报告,文中详述了中国led衬底材料市场调研及投资发展前景,极尽细致详尽。推荐给业内人士参考。

  https://www.alighting.cn/2012/12/4 15:27:54

佛山市国星光电股份有限公司关于向控股子公司提供委托贷款的公告

佛山市国星半导体技术有限公司(以下简称“国星半导体”)为佛山市国星光电股份有限公司(以下简称“国星光电”或“公司”)的控股子公司,因其发展需要,公司拟向国星半导体提供3 亿元的委托

  https://www.alighting.cn/2012/8/21 11:59:27

用氧化镓制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色(2)

采用β-ga2o3制作基板时,可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法,这也是其特点之一,

  https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04

针对日亚化学的led专利分析

本文为业内人士所作之针对日本日亚化学(nicha)的一篇分析文章,文中简要的表述了日亚化学的企业专长以及在led业内与其他巨头的合作,以及日亚化学的核心专利的简要分析;

  https://www.alighting.cn/resource/20111122/126865.htm2011/11/22 11:46:36

半导体工艺和硅片衬底流程简介

本文为晶科电子(广州)有限公司侯宇先生所讲解之《半导体工艺和硅片衬底流程简介》,从半导体的角度去讲解硅片衬底,以及led衬底的制作流程,通过这个教材会对半导体的加工流程和基本形成原

  https://www.alighting.cn/resource/20111031/126938.htm2011/10/31 20:11:17

不同封装技术 强化不同的led元件之优势

led因为材料特性与发光原理异于传统光源,因此具备多项使用上的优势,只是用于取代一般日常应用的光源时,led固态的发光组件仍需要多重设计与改善,才能在发光效率、演色性、照明光型、电

  https://www.alighting.cn/2011/10/8 13:20:58

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