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led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

什么是白光led?

m,wd=30nm),高温烧结制成的含ce3+的yag荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光,峰值550nm。蓝光led片安装在碗形反射腔中,覆盖以混有yag的树脂薄层,约200-500n

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/4/25/272876.html2012/4/25 11:55:05

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长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

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长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

东芝普瑞携手:8英寸led芯片实现突破

日宣布,在年初两家公司达成合作协定短短几个月后,两家公司共同研发出了行业顶级8英寸矽氮化镓led芯片。该芯片仅1.1毫米,在电压低于3.1v电流350ma时发射功率达614m

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2012/7/2/280589.html2012/7/2 11:23:57

从多个组件着手降低led产品价格

与60w白炽灯相等的led进行分析,同时也在降低成本技术的可行性进行分析。 散热问题一直都是led产品所面临需要解决的问题,有研究机构已经提出热管理技术降低铝的解决方案。这些问

  http://blog.alighting.cn/leddgb/archive/2012/7/17/282168.html2012/7/17 11:34:58

研究色温可调led的封装与性能事项

计,概括来讲就是热- 电- 机-光(t.e.m.o.),   led 封装关键技术传统的多芯片集成封装多是将led 芯片按照一定的规则固定在电路板上,如铝覆铜板、陶瓷电路板等,由

  http://blog.alighting.cn/shxled/archive/2012/10/29/295170.html2012/10/29 14:29:52

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