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命下降。目前蓝光芯片无论是碳化硅、蓝宝石、硅衬底技术都是异质外延，在衬底和外延晶体之间存在晶格失配导致位错，同时由于热膨胀系数的差别在外延生长后的降温过程中产生热应力，导致外延层出
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/30/312950.html2013/3/30 9:57:21
积不解决这个问题，散热问题，不能达到预期的效果和实际应用中的磁通量。②硅底板倒装法。共晶焊料，首先，准备一个大的led面板灯芯片，并准备一个合适的尺寸，在硅衬底和硅衬底，使用金的共晶
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48
机比较成熟,20片左右的机台还在成熟中,片数较多后导致外延片均匀性不够。发展趋势是 两个方向：一是开发可一次在反应室中装入更多个衬底外延片生长,更加适合于规模化生产的技术,以降低成
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
化镓衬底前期制备工序。“在半导体领域有个说法，工序的减少不仅会节省大量的生产设备固定投资，也大大降低工艺的复杂性，提高产品的优良率。”庄德津表示。 作为led产业的源头，衬底类
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2013/8/15/323613.html2013/8/15 16:23:13
王敏，浙江大学博士，2001年投资led研究，03年开始专注硅衬底led技术的研发，并于06年创造性地在江西引入国际著名风险投资和江风益教授联合创立晶能光电(江西)有限公
http://blog.alighting.cn/wangmin/2013/4/24 15:50:11
采用等离子体源离子注入和电子回旋共振-微波等离子体辅助化学气相沉积技术相结合的方法在si衬底上制备出子性能良好的类金剐石膜.通过共聚焦raman光谱验证亍薄膜的类金刚石特性,用原
https://www.alighting.cn/2013/2/1 14:17:59
伦斯勒理工学院的研究人员发明了一种能大大提高绿色led发光量的制造方法：在led的蓝宝石衬底和氮化镓层的交界处进行纳米级蚀刻,使led产生绿光，并且在光提取,内部效率和发光量方
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/8/177209.html2011/5/8 15:50:00
随着技术的发展，led的效率有了非常大的进步。在不久的未来led会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造led芯片过程中首先在衬底上制作氮化鎵（gan）基的外延片(外延片)，外延片所
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00
量的分析，可知在蓝宝石衬底和环氧树脂的界面间涂敷一层硅橡胶能改善光的折射率。改进光学器件的封装技术，可以大幅度提高大功率led的出光率(光通
https://www.alighting.cn/resource/2013/10/16/142218_52.htm2013/10/16 14:22:18
本文是针对大功率led封装器件散热性能的影响因素，重点利用有限元anays软件模拟分析了环境温度、芯片衬底、光电转换效率、导热胶、介电层厚度和空气对流系数等对led封装散热效
https://www.alighting.cn/resource/2013/8/29/151932_67.htm2013/8/29 15:19:32
