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w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262750.html2012/1/29 0:42:52
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262745.html2012/1/29 0:42:26
用，都比较完善。可以很方便买到生产设备和原料，接单也容易。”重复建设成隐忧谨防蹈多晶硅覆辙据广东省省情调查研究中心相关报告显示，广东led企业主要位于产业链的中、下游，核心芯片特别是大
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262739.html2012/1/29 0:42:00
国 iii-n technology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262735.html2012/1/29 0:41:22
蚀 - n型电极（镀膜、退火、刻蚀） - p型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片 - 芯片分检、分级 具体介绍如下： 固定：将单晶硅棒固定在加工台上。 切片：将单晶硅棒切成具
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262722.html2012/1/29 0:39:56
电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对gan外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节省一些成本。据国外某知名公司的估计使
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262704.html2012/1/29 0:38:54
究是非常必要而且很有意义的。中国照明网技术论文?led照明３、ｌｅｄ光度测量原理３．１光强度的测量方法把光强标准灯,led和配有v(λ)滤光片的硅光电二极管安装和调试在光具座上,特
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262702.html2012/1/29 0:38:47
式。采用与医学用生命支持设备相同的技术，camd发展出一种硅载体（silicon carrier）或次黏着基台（submount），以做为ingan芯片与导线框之间的内部固着介质；
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262661.html2012/1/29 0:36:32
近 30 lm/w。；能够推出全彩色 oled 的公司和研究单位越来越多，采用低温多晶硅 tft 驱动的全彩色器件也已经被开发了出来；白光 oled 得到了广泛的重视，已制成的白光器
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片温度不超过60℃。3．连接方法： 大功率led基板与散热片连接时请保证两接触面平整，接触良好，为加强两接触面的结合程度，建议在led基板底部或散热片表面涂敷一层导热硅脂（导热硅
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