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l oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体）的污染控制要求在工艺线上进行生产（不再需要加入金这种贵金属），进而能够在200mm硅衬底上大批量生产高质量的氮化镓产
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/6/4/188291.html2011/6/4 14:34:00
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(
https://www.alighting.cn/2013/10/11 11:32:22
研究了热退火对ingan/gan多量子阱led的ni/au p gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au p
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12
led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的gan基led芯片，亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对gan材料表面进行处理，对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片，对其光电
https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48
自1999年以来，德国latec已售出第1000套原位测量设备。在美国tampa举办的国际氮化物研讨会(iwn 2010)上，laytec的kolja haberland博士在题
https://www.alighting.cn/pingce/20101025/123225.htm2010/10/25 13:44:58
2007年9月17日，cree当日宣布与日本日亚（nichia）达成协议，该协议将相关白光led技术和cree某些氮化物激光器相关专利纳入其中，扩大了2002年和2005年交叉授
https://www.alighting.cn/news/2007920/V2659.htm2007/9/20 10:40:32
由于iii族氮化物的p型掺杂受限于mg受主的溶解度和空穴的较高激活能，热量特别容易在p型区域中产生，这个热量必须通过整个结构才能在热沉上消散;led器件的散热途径主要是热传导和
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127197.htm2011/9/5 14:38:54
自从yag，氮化物，硅酸盐荧光粉导入半导体封装后，很多新生代的白光工程师对led所用的荧光粉产生了误读，led荧光粉在使用过程中并不存在有大功率小功率荧光粉之分。随着封装形式的不
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127301.htm2011/8/17 15:51:22
厦门大学物理与机电工程学院康俊勇教授研究组下的课题小组通过在高铝组分氮化物深紫外线发光二极管(led)表面覆盖一层超薄铝膜，从而破解了制约这一发光器件得以更广泛应用的“光抽取效率
https://www.alighting.cn/news/2013322/n472349883.htm2013/3/22 10:31:10
