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式晶圆黏贴技术,成功氧作出高反射率且散热良 好的新型超高亮度led。在 制程成本及复杂方面,还可以比美、日等国降低不少成本,甚至在?a品良率、省电效率、发光等效能上,都不逊於美、
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229916.html2011/7/17 23:12:00
高光输出量,所以,有逐渐朝向在晶片表面建立texture或photonics结晶的架构。例如德国的osram就是以这样的架构开发出“thin GaN”高亮度led,osram是
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229909.html2011/7/17 23:09:00
素化合的化合物。gap是一种间接迁移型半导体,具有低电流、高效率的发光特性,可发光范围函盖红色至黄绿色,为led主要使用材料之一。GaN氮化镓。氮化镓,是ⅲ-ⅴ族元素化合的化合
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229896.html2011/7/17 23:03:00
发 光 原 理led作为第四代固体照明光源,有着极其广泛的应用前景.一.发光原理发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物.如gaas、gap、gaasp/gaalas、ingaalp、GaN
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229893.html2011/7/17 23:02:00
时r很大；开启电压对于不同led其值不同，gaas 为1v，红色gaasp 为1.2v，gap 为1.8v，GaN 为2.5v。 （2）正向工作区：电流if 与外加电压呈指数关
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229836.html2011/7/17 22:29:00
件发光特性、效率的关键就在于基底材料与晶圆生长技术的差异。 在led的基底材料方面，除传统蓝宝石基底材料外，硅(si)、碳化硅(sic)、氧化锌(zno)、氮化镓(GaN)...
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229835.html2011/7/17 22:28:00
心”的李世玮主任发表了《先进led晶圆级封装技术》报告的专题演
https://www.alighting.cn/news/20110715/109007.htm2011/7/15 11:12:23
镓 GaN)会因基材(如刚玉 al2o3)晶格的不整合产生极多的缺陷(如 109/cm2)，这些缺陷限制了内部量子效应(internal quantum efficiency)的发
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127425.htm2011/7/14 18:06:28
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12
