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采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
够改善led的发光效率，从而使芯片发出更多的光。 封装设计方面的革新包括将高传导率的金属块用作基底、倒装芯片设计和裸盘浇铸式引线框等，这些方法都能设计出可高功率、低热阻的器件，而
http://blog.alighting.cn/zuokai/archive/2009/1/7/2218.html2009/1/7 13:16:00
高温或内部功耗产生的过多热量可能改变电子元件 的特性并导致其关机、在指定工作范围外工作,甚或出现故障。电源管理 器件(及其相关电路)经常会遇到这些问题,因为输入与负载之间的任何功
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229866.html2011/7/17 22:47:00
数，主要是下面4个方面，即led使用寿命、发光效率、显色指数、相对色温等。要提升led品质，必须从上述四方面着手，本文从led器件封装角度出发，重点讨论通过封装方面的热管理，来达到提
http://blog.alighting.cn/www.msd-led.cn/archive/2012/10/6/292198.html2012/10/6 9:46:43
研究发现，在合适应力下，外量子效率可提高两倍以上，达到5.92%。iv曲线在正负偏压下的非对称变化表明器件性能的提高主要由具有极性的压电效应引起，而不是由非极性的压阻和接触效应引
https://www.alighting.cn/2013/8/13 10:38:53
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
本文为led前瞻技术与市场研讨会中，佛山市中山大学研究院院长博士研究生导师王钢教授带来了《高显色指数led集成光源模组技术研究及产业化》的研究报告，王钢教授认为： led器件集
https://www.alighting.cn/resource/20111125/126854.htm2011/11/25 10:10:54
为厦门三安工业有限公司(以有权机构核准为准)，主要从事危险化学品批发、电子元件及组件、半导体分立器件、集成电路、光电子器件及其他电子器件等制造与销售;注册资金 1 亿元人民币;法定代
https://www.alighting.cn/news/20150309/83229.htm2015/3/9 10:26:14
理与外延技术、mocvd设备（整机/部件/配件/原材料）、材料结构与物性、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件、led智能照明与物联网、半导体激光器、光伏/光探测器、可见光通信技
https://www.alighting.cn/news/20200616/169243.htm2020/6/16 10:42:55
d integrated circuits(1992)iec60747-5半导体分立器件及集成电路(2)iec60747-5-2 discrete semiconductor device
http://blog.alighting.cn/81322/archive/2012/7/19/282772.html2012/7/19 17:30:00
